レーザードーピングで形成したエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の深さ制御とその太陽電池特性(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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結晶シリコン太陽電池の変換効率の改善、製造コストの低減のためにレーザードーピング技術が注目されている。レーザードーピングの利点として、室温大気中で作製可能であることや選択的に拡散できることがあげられ、今回は従来の高温プロセスをすべてレーザードーピングに置き換えてセレクティブエミッタ構造[川2]を持つ太陽電池を作製する。これまで、レーザーを基板全面に照射しエミッタ層を形成し、出力変化や重畳照射による太陽電池特性への影響を調べてきた^[3][4]。これらを応用して、レーザードーピングによりエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の形成を行った。このセレクティブエミッタ層はレーザーの出力を変化させることでリン原子のドーピングプロファイルを制御し、太陽電池特性への影響を解析する。
- 2012-11-30
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
西村 英紀
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
田中 成明
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
西村 英紀
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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