連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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レーザードーピング(LD)は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太陽電池を室温大気中で作製可能であり、所望の領域に選択的にエミッタ層を形成することが可能であることから、セレクティブエミッタ構造などの高効率構造を簡便に作製することができる。LDにより形成されたセレクティブエミッタ構造において、電極の幅や電極の位置合わせ、エミッタ層の深さや濃度などのパラメーターが重要であり、それらの最適化が必要になる。これまでレーザー出力条件によるエミッタ層の最適化は行われてきたが1)、電極幅に対する電極下高濃度不純物層幅の検討は行われていない。そこで本研究では、LDにより形成した電極化高濃度不純物層の最適化を行った。
- 2012-11-30
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学
-
湯本 伸伍
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
西村 英紀
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
杉村 恵美
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科
-
杉村 恵美
奈良先端科学技術大学院大学質創成科学研究科
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