4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング(CP)測定を行った.nチャネルMOSFETに対してCP特性を調べた結果,ゲートパルスの立ち下がり時間を変えることによって,CP曲線が大きく変化した.この変化はNOアニールを行っていない,チャネル移動度が低いMOSFETで顕著であった.このことより,SiC MOSFETに対するCP測定では,形状成分が発生しやすいことが明らかになった.また,伝導帯近傍に高密度に存在するアクセプタ型界面トラップの影響によって,CP曲線が歪むことも明らかにした.4H-SiCに対するCP曲線は,これら二つの効果によって特異的な形になるため,解析が難しくなる.正確な測定のためには,十分長いパルス立ち下がり時間を用いることにより,形状成分を抑えることが重要である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-12-07
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
岡本 大
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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