岡本 大 | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

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概要

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• 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科の論文著者

関連著者

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 岡本 大

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 畑山 智亮

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創生科学研究科

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 大城 ゆき

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学

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著作論文

• 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 (シリコン材料・デバイス)
• NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
• 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)

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