安田 幸夫 | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

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概要

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関連著者

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 安田 幸夫

  名古屋大学

• 安田 幸夫

  名古屋大学工学部

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 畑山 智亮

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• 酒井 朗

  大阪大学

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学:パナソニック

• 池田 浩也

  名古屋大学

• 山下 一郎

  奈良先端科学技術大学院大学

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

• Kondo H

  Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology

• 小出 康夫

  独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院光学研究科

• 小出 康夫

  京都大学材料工学

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• Kondo Hideo

  Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science

• Kondo Hirotomo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• Kondo H

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学

• 西村 英紀

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)

• 渡辺 行彦

  豊田中央研究所

• 世古 明義

  名古屋大学

• 渡辺 行彦

  (株)豊田中央研究所

• 岡本 大

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 菅原 祐太

  奈良先端科学技術大学院大学

• 三浦 篤志

  奈良先端科学技術大学院大学

• 安田 幸夫

  名大工

• パンチャイペッチ プラカイペッチ

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 杉村 恵美

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• 川畑 史郎

  産総研

• 高橋 英治

  日新電機株式会社

• 野々山 信二

  山形大地教

• 川畑 史郎

  産総研:jst-crest

• 武田 大輔

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 緒方 潔

  日新電機株式会社

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 小出 康夫

  物質・材料研究機構センサ材料センター

• 小出 康夫

  名古屋大学工学部電子工学科

• 向 正人

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 市川 和典

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• パンチャイペッチ P.

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 林 司

  日新電機株式会社

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院光学研究科

• 野々山 信二

  名大工

• 市川 和典

  神戸市立工業高等専門学校

• 北島 浩司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 彦野 太樹夫

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 財満 鎮明

  名古屋大学

• 泉川 健太

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 川畑 史郎

  名大工

• 財満 鎭明

  名大工

• 舟谷 友宏

  奈良先端科学技術大学院大学

• 高山 環

  奈良先端科学技術大学院大学

• 長谷川 光洋

  奈良先端科学技術大学院大学

• 川畑 史郎

  産総研:crest

• 湯本 伸伍

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)

• 田中 成明

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)

• 森崎 翔太

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)

• 山崎 順

  名大エコトピア研

• 杉江 尚

  名大・院工

• 山下 一郎

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 安田 幸夫

  豊橋技科大

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 田中 信夫

  名古屋大学

• 酒井 朗

  名大院工

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 平田 憲司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創生科学研究科

• 東名 敦志

  日新電機株式会社

• 芹川 正

  東京大学先端科学技術研究センター

• 中塚 理

  名古屋大学

• 入船 裕行

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 茂庭 昌弘

  (株)ルネサステクノロジ

• 小出 康夫

  (独)物質・材料研究機構

• 河合 圭吾

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宮崎 香代子

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山崎 順

  名大・理工総研

• 田中 信夫

  名大・理工総研

• 中塚 理

  名大・理工総研

• 大久保 和哉

  名大・院工

• 酒井 朗

  名大・院工

• 財満 鎭明

  名大・先端研

• 安田 幸夫

  名大・院工

• 大城 ゆき

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 小原 孝介

  奈良先端科学技術大学院大学

• 八重樫 利武

  半導体理工学研究センター

• 茂庭 昌弘

  半導体理工学研究センター

• 藤井 茉美

  奈良先端科学技術大学院大学

• Jung Ji

  サムスン綜合技術院

• Kwon Jang

  サムスン綜合技術院

• 岸山 友紀

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• 高橋 優

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• 大鐘 章義

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• Kitiyanan Athapol

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• 越知 誠弘

  奈良先端科学技術大学院大学

• 田中 亮大

  奈良先端科学技術大学院大学

• 南条 泰弘

  奈良先端科学技術大学院大学

• 奥田 光宏

  奈良先端科学技術大学院大学

• 松村 貴志

  奈良先端科学技術大学院大学

• 吉井 重雄

  松下電気産業株式会社

• 山下 一郎

  松下電気産業株式会社

• 河合 圭吾

  名古屋大学大学院工学研究科:(現)necエレクトロニクス株式会社

• 吉川 彰彦

  名大工

• 小出 康夫

  名大工

• 財満 鎮明

  名大工

• 大島 直樹

  名大・工

• 小出 康夫

  名大・工

• 伊藤 克也

  名大・工

• 財満 鎮明

  名大・工

• 安田 幸夫

  名大・工

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

• 財満 鋼明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 吉井 重雄

  奈良先端科学技術大学院大学:パナソニック

• 堀井 貞義

  (株)日立国際電気

• 橋本 伸一郎

  松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター

• 森田 幸弘

  松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター

• 宮下 誠

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 中村 秀碁

  奈良先端科学技術大学院大学

• パンチャイペッチ プラカイペッチ

  奈良先端科学技術大学院大学

• 堀井 貞義

  日立国際電気

• 桐村 浩哉

  日新電機株式会社技術開発研究所

• 川嶋 宏之

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 山田 圭佑

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 後藤 覚

  名古屋大学

• 本多 一隆

  名古屋大学

• 鈴村 功

  名大院工

• 鳥毛 裕二

  名大院工

• 岡田 昌久

  名大院工

• 池田 浩也

  名大院工

• 財満 鎭明

  名大先端研

• 安田 幸夫

  名大院工

• 池上 浩

  名古屋大学

• 猪飼 順子

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 加藤 健治

  日新電機株式会社技術開発研究所

• 八木 俊樹

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター (starc)

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 山下 一郎

  松下電器産業(株)

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター

• 高上 稔充

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 高上 稔充

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 梅澤 奈央

  奈良先端科学技術大学院大学

• 堀 良太

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 田村 哲也

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 西村 英紀

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 杉村 恵美

  奈良先端科学技術大学院大学質創成科学研究科

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)

• 嶋崎 成一

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• 谷 あゆみ

  奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)物質創成科学研究科

• 森崎 翔太

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

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著作論文

• エレクトロルミネッセンス撮像法による太陽電池用多結晶シリコン基板の評価(太陽電池材料の結晶工学:結晶成長を中心に)
• バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 22pXB-10 HRTEM, EELS, EDX を用いた Ni/Si 界面反応への添加元素の影響とナノ構造の研究
• グリーンレーザによる積層シリコンの結晶化--次世代ディスプレイの実現を目指して (特集 レーザ・光学系と大型液晶パネルプロセス)
• NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
• High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ga_2O3-In_2O_3-ZnO(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• フェリチンタンパクを利用したシリコン薄膜のバイオ結晶化法 (オプトロニクス 石油代替・ナノバイオ材料の可能性,「薄く」,「しなやか」な物性が得られる--FPD用部材における「バイオマス資源・タンパク質材料」の応用・採用の技術トレンド)
• 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価)
• シリコン太陽電池用SiN_xパッシベーション膜におけるNH_3プラズマ界面改質効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• ナノテクMOVEMENTS(VOL.11)タンパク超分子を用いたシリコン薄膜の低温結晶化
• 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• Ni内包フェリチンタンパク質を用いた多結晶シリコンの大粒径化(シリコン関連材料の作製と評価)
• フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 技術トピック Niナノ粒子を内包したフェリチンのシリコン非晶質薄膜の結晶化
• シリコンナノ界面制御による光電極動作の理論解析 (特集 太陽エネルギー変換の最近動向)
• Material Report R&D バイオを用いたプロセス:バイオナノコアによるアモルファスシリコン膜の結晶化
• シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
• バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコン薄膜形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 4族半導体ヘテロエピタキシ-機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
• ガスソースMBE法による(100)Si基板上のSi_Ge_x膜の成長初期過程 : 気相成長・薄膜II
• Ge/Siヘテロエピタキシャル成長初期過程
• Ge/Siヘテロエピタキシャル成長初期に形成される秩序構造 : エピタキシーI
• 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)
• 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおける信頼性評価技術(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 低温Poly-Si TFTにおける発熱劣化の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(シリコン関連材料の作製と評価)
• フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着(半導体Si及び関連材料・評価)
• Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(シリコン関連材料の作製と評価)
• 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
• 31p-N-15 メゾスコピック系の電子輸送現象に及ぼす非弾性散乱の影響
• シリサイドの固相成長
• パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
• Fowler-Nordheim注入によるMOS特性の劣化
• ヘテロエピタキシャル成長における歪緩和と貫通転位の低減 : Si(001)基板上の高品質Si_Ge_x歪緩和層の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
• 超微細化に向けたULSI薄膜技術
• 金属/半導体界面反応の STEM による原子直視観察
• 総合報告 シリコンLSI新材料技術の現状と課題--フロントエンドプロセス
• 固相エピタキシー法によるSi(111)表面上のGe3次元島のコースニング過程 : エピタキシャル成長IV
• シリコン表面の初期酸化と水素
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
• 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
• シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
• 水素終端シリコン(100)表面の酸化初期過程
• Si表面上のエピタキシャルシリサイドの熱的挙動
• 水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造
• Si量子ドットを用いたフローティングゲートメモリ : PECVD法を用いたSiナノドットへの電子注入(半導体Si及び関連材料・評価)
• シリコン界面ナノ制御による光電極動作のシミュレーション(半導体Si及び関連材料・評価)
• 水素終端シリコン表面の初期酸化過程
• シリサイド化反応とコンタクト特性
• 高融点金属/Si界面の電気的特性と結晶学的構造 (半導体デバイスにおけるコンタクト材料)
• 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング(シリコン関連材料の作製と評価)
• 化学的気相堆積法による薄膜結晶系シリコン太陽電池の開発 (特集 高効率・低コスト薄膜太陽電池の開発)
• 超薄膜単結晶シリコン太陽電池の新展開 (特集:新しいエネルギー--太陽電池を中心に)
• 金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と低抵抗コンタクト
• 結晶系シリコン太陽電池の将来展望と新規作製技術(次世代太陽電池)
• SiO_2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl_3アニールの効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング(シリコン関連材料の作製と評価)
• 4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板-ドーパント間の界面制御による電子状態の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• レーザードーピングで形成したエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の深さ制御とその太陽電池特性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化(シリコン関連材料の作製と評価)
• レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化(シリコン関連材料の作製と評価)

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