近藤 博基 | 名古屋大学大学院光学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋大学大学院光学研究科の論文著者

関連著者

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院光学研究科

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

• Kondo H

  Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• Kondo Hideo

  Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science

• Kondo Hirotomo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• Kondo H

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 酒井 朗

  大阪大学

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 坂下 満男

  名古屋大学大学院光学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 小川 正毅

  名古屋大学

• 安田 幸夫

  名古屋大学工学部

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 安田 幸夫

  名古屋大学

• 酒井 朗

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 渡辺 行彦

  豊田中央研究所

• 世古 明義

  名古屋大学

• 中塚 理

  名古屋大学

• 渡辺 行彦

  (株)豊田中央研究所

• 古田 和也

  名古屋大学大学院光学研究科

• 櫻井 晋也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 堀 勝

  名古屋大学

• 加藤 公彦

  名古屋大学総合保健体育科学センター

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 堀 勝

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 竹内 和歌奈

  名古屋大学大学院光学研究科

• 河合 圭吾

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宮崎 香代子

  名古屋大学大学院工学研究科

• 松井 裕高

  名古屋大学大学院工学研究科

• 河合 圭吾

  名古屋大学大学院工学研究科:(現)necエレクトロニクス株式会社

• 加藤 亮祐

  名古屋大学大学院工学研究科

• 京極 真也

  名古屋大学大学院工学研究科

• Hiramatsu M

  Nano Factory Graduate School Of Science And Technology Meijo University

• Hori Masaru

  School Of Engineering Nagoya University

• 中塚 理

  名古屋大学大学院光学研究科

• 古田 和也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 加藤 公彦

  名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会

• 小川 正毅

  名古屋大学エコトピア科学研究所

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著作論文

• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
• CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価

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