MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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バブリングによる原料供給が可能なシクロペンタジエニル錯体(Pr(EtCp)_3)を用いた有機金属化学気相蒸着(MOCVD)法によるPr酸化膜の成膜を検討した。酸化剤として水(H_2O)を用いることにより、O_2を用いた場合に対して膜中炭素濃度を約10分の1(2%)に低減できる。またH_2Oを用いて成膜したPr酸化膜は多結晶の柱状構造であり、Pr_2O_3の六方晶がSi(001)基板上に優先配向していることもわかった。MOSキャパシタの測定結果より、本研究で作製したMOCVD-Pr_2O_3膜の比誘電率は26、V_<FB>+1Vでのリーク電流密度は5.8×10^<-6>(A/cm^2)と得られた。これらの結果より、シクロペンタジエニル錯体とH_2Oを用いたMOCVD法によって、高誘電率かつ低リーク電流なPr酸化膜が形成可能なことがわかった。
- 2008-06-02
著者
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 朗
大阪大学
-
酒井 朗
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
小川 正毅
名古屋大学
-
櫻井 晋也
名古屋大学大学院工学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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