Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い,ウェハー面内での膜厚ばらつきが2%以下であるPr酸化膜のALD成長を実現した.同ALDでは主として立方晶のPr_2O_3が形成したが,Si(100)基板上のPr_2O_3膜が多結晶構造であるのに対し,Si(111)基板上では立方晶Pr_2O_3がエピタキシャル成長することがわかった.一方,Al/ALD-Pr_2O_3/Si(100)およびAl/ALD-Pr_2O_3/Si(111)MOSキャパシタの容量-電圧特性によれば,ALDによって成長した立方晶Pr_2O_3の比誘電率は12.3〜16.8であった.電子銃蒸着法や化学気相蒸着法(CVD)で成長したPr酸化膜の結晶構造および成長条件との比較から,ALDプロセスにおいてH_2O分圧を最適化することにより,Pr酸化膜の結晶構造が制御可能であると考えられる。
- 2009-06-12
著者
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
古田 和也
名古屋大学大学院光学研究科
-
松井 裕高
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
古田 和也
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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