Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性
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概要
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Growth properties and electrical properties of Pr oxide films by an atomic layer deposition (ALD) technique using Pr(EtCp)3 are discussed in this paper. Slef-limiting growth of Pr oxide films at a rate of 0.07 nm/cycle and a thickness variation of less than 2% on 3-in. Si wafers were obtained. Polycrystalline cubic Pr2O3 films were grown on Si(001) substrates, while epitaxial growth of the cubic Pr2O3 film was found on a Si(111) substrate. Relatively fine capacitance-voltage curves were obtained for the Al/ALD-Pr oxide/Si(001) capacitors. The interface state density between the 130°C-grown ALD-Pr oxide film and the Si(001) substrate is about 1×1011 cm−2 eV−1. The dielectric constant of the ALD-Pr oxide film grown at 250°C was determined to be about 18, assuming that the dielectric constant of the interlayer is similar to that of SiO2.
- 日本真空協会の論文
- 2011-02-20
著者
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Kondo H
Department Of Biochemical Engineering And Science Kyushu Institute Of Technology
-
坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
-
財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
-
近藤 博基
名古屋大学大学院光学研究科
-
Kondo Hideo
Institute Of Advanced Material Study Graduate School Of Engineering Sciences And Crest Japan Science
-
Kondo Hirotomo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
Kondo H
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Sojo University
-
財満 鎭明
名古屋大学
-
財満 鎭明
名古屋大学大学院 工学研究科
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