Thermal stability and scalability of mictamict Ti-Si-N metal-oxide-semiconductor gate electrodes (Special issue: Solid state devices and materials)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文

著者

• 近藤 博基

  名古屋大学大学院工学研究科

関連論文

• MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Growth and Energy Bandgap Formation of Silicon Nitride Films in Radical Nitridation
• Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy
• Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
• Growth of Silicon Nanocrystal Dots with High Number Density by Ultra-High-Vacuum Chemical Vapor Deposition
• Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films
• Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy
• Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals
• Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates
• Conductance Oscillations in Hopping Conduction Systems Fabricated by Focused Ion Beam Implantation ( Quantum Dot Structures)
• Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy
• Analysis of Local Breakdown Process in Stressed Gate SiO2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
• Surface Treatment of Ge(001) Surface by Radical Nitridation
• Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors
• Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes
• Conductance Oscillations in Low-Dimensional Ion Implanted Regions Annealed by Rapid Thermal Annealing
• 原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析(電子材料)
• 電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• シリコン表面の窒化初期過程とエネルギーバンドギャップの形成
• CS-5-2 Si_Ge_X/Si(001)構造における転位および歪の評価と制御技術(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge表面酸化および窒化処理と High-k ゲートスタック構造形成プロセス
• 超高密度・極微細シリコンナノドットの形成技術とメモリ特性 (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
• Photoisomerizable DNA Ligands. Spectral and Electrochemical Properties and Base-Pair Selectivity of Binding of Bis[2-(1-alkylpyridinium-4-yl)vinyl]benzen Dyes
• Pr(EtCp)3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性 (小特集 真空を利用した材料プロセスの新展開--化学気相成長から原子層成長へ)
• Genotyping of the Human Lipoprotein Lipase Gene by Ferrocenylnaphthalene Diimide-based Electrochemical Hybridization Assay
• Direct Detection of Single Nucleotide Polymorphism (SNP) with Genomic DNA by the Ferrocenylnaphthalene Diimide-based Electrochemical Hybridization Assay (FND-EHA)
• Electrochemical Array(ECA)as an Integrated Multi-electrode DNA Sensor (特集:マイクロ化学分析システム)
• Electrochemical Detection of Base Pair Mutation
• フェロセン化ナフタレンジイミド誘導体の電気化学とそのヘアピンDNA修飾電極での挙動
• Enhanced Electron Transfer from Glucose Oxidase to DNA-Immobilized Electrode Aided by Ferrocenyl Naphthalene Diimide, a Threading Intercalator
• Thermal stability and scalability of mictamict Ti-Si-N metal-oxide-semiconductor gate electrodes (Special issue: Solid state devices and materials)
• Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate metal-oxcide-semiconductor capacitors (Special issue: Solid state devices and materials)
• Coulomb Blockade Phenomena in Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Nano-Scale Channels Fabricated Using Focused-Ion Beam Implantation
• Pr(EtCp)_3を用いた原子層成長法によるPr酸化膜の作製とその電気的特性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク