Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2004-07-30
著者
-
酒井 彰
室蘭工大工
-
Yasuda Y
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Yasuda Yukio
Department Of Applied Physics Osaka City University
-
SAKAI Akira
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
KONDO Hiroki
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
SEKO Akiyoshi
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
ZAIMA Shigeaki
Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University
-
WATANABE Yukihiko
Toyota Central R&D Labs., Inc.
-
近藤 博基
名古屋大学大学院工学研究科
-
Sakai A
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Watanabe Yukihiko
Toyota Central R&d Labs. Inc.
-
Sakai A
Division Of Electrical And Computer Engineering Yokohama National University
-
Seko Akiyoshi
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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