Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO_2-TiO_2 Composite Films

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
• 2004-04-15

著者

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• 酒井 彰

  室蘭工大工

• Yasuda Y

  Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Yasuda Yukio

  Department Of Applied Physics Osaka City University

• SAKAI Akira

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• SAKASHITA Mitsuo

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• ZAIMA Shigeaki

  Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University

• HONDA Kazutaka

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• IKEDA Hiroya

  Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• Sakai A

  Division Of Electrical And Computer Engineering Yokohama National University

• Honda K

  Fujitsu Laboratories Ltd.

関連論文

• 21pHS-7 SrBi_2Ta_2O_9薄膜のラマン散乱スペクトルII(21pHS 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答・誘電体(光散乱),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子部品・材料)
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子デバイス)
• 27a-YL-2 PrRu_4P_の金属-絶縁体転移II
• 20pPSB-9 電子ラマン散乱からみたBi2212における不純物効果(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温:Cu酸化物,Ru酸化物,Co酸化物),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aRH-2 電子ラマン散乱から見たBi2212における超伝導ギャップと擬ギャップ(26aRH 高温超伝導(擬ギャップと超伝導ギャップ),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Growth and Energy Bandgap Formation of Silicon Nitride Films in Radical Nitridation
• Invited Strain Engineering for SiGe Buffer Layers for High-Mobility Si Channels (先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• Low-Temperature Formation of Epitaxial NiSi_2 Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ti/Si(001) Systems
• Thermal Stability and Electrical Properties of (La_2O_3)_(Al_2O_3)_x Composite Films
• HfO_2 Film Formation Combined with Radical Nitridation and Its Electrical Characteristic
• Behavior of Local Current Leakage in Stressed Gate SiO_2 Films Analyzed by Conductive Atomic Force Microscopy
• Detection and Characterization of Stress-Induced Defects in Gate SiO_2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
• Growth of Silicon Nanocrystal Dots with High Number Density by Ultra-High-Vacuum Chemical Vapor Deposition
• Influence of Structural Variation of Ni Silicide Thin Films on Electrical Property for Contact Materials
• Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films
• Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO_2-TiO_2 Composite Films
• Reactive Deposition Epitaxy of CoSi_2 Films on Clean and Oxygen-Adsorbed Si(001) Surfaces
• Surface and Interface Smoothing of Epitaxial CoSi_2 Films by Solid-Phase Epitaxy Using Adsorbed Oxygen Layers and Two-Step Growth on Si(001) Surfaces
• 磁性細菌のラマン分光観察
• 12p-PSB-65 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱III
• 27p-PS-46 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱II : マグノンスペクトルのposition依存性
• 30p-APS-7 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱
• Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals
• Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi_2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System
• Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates
• Behavior of Local Charge Trapping Sites in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films under Constant Voltage Stress
• Local Current Leakage Characterization in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy
• Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy
• Analysis of Local Breakdown Process in Stressed Gate SiO2 Films by Conductive Atomic Force Microscopy
• Surface Treatment of Ge(001) Surface by Radical Nitridation
• Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors
• Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni, Pt)-Germanide Gate Electrodes
• Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition
• 30p-N-7 顕微ラマン散乱によるYBCOとBSCCOのフォノンの温度依存性
• 28p-PSA-34 Bi-Sr-Ca-Cu-O単結晶の顕微ラマン散乱
• 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
• シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
• 第12回固体薄膜・表面国際会議(ICSFS-12)
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• マイクロ波プラズマCVD法によるクロムめっき鉄鋼基板上でのダイヤモンド薄膜の合成
• マイクロ波プラズマCVD法による表面酸化処理したクロム基板上でのダイヤモンドの合成
• 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• 18pPSB-48 CuIr_2S_4単結晶の顕微ラマン散乱
• 23pYD-15 Salmon Sperm DNAの表面増強ラマンスペクトルII(生物物理,領域12,ソフトマター物理,科学物理,生物物理)
• 21aRK-6 Salmon sperm DNAの表面増強ラマンスペクトル(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
• 28a-M-6 強誘電性半導体Zn_Li_xOのラマン散乱
• 24pWY-1 TGS薄膜を用いた近接場ラマン散乱スペクトルII(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aYJ-9 SrBi_2Ta_2O_9薄膜のラマン散乱スペクトル(誘電体(酸化物),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aRB-9 誘電体薄膜の近接場ラマン散乱(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aVE-9 TGS薄膜を用いた近接場ラマン散乱スペクトル(22aVE 誘電体(フォノンダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYK-13 Gd_2(MoO_4)_3の顕微赤外分光(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pTD-7 STM/STSから見たLa_Sr_xCuO_4の局所電子状態(27pTD 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19pYM-12 Cu(HCOO)_2・4H_2Oのラマン散乱III(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYR-6 Cu(CHOO)_2・4H_2Oのラマン散乱II(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 室蘭でのリフレッシュ理科教室
• 走査型近接場ラマン顕微鏡
• 12pXD-3 近接場ラマン分光法による分子内振動スペクトルの観測 II(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
• 微小開口力ンチレバープローブを用いた走査型近接場ラマン分光装置の開発 : ナノ領域におけるスペクトル観察
• 室蘭工業大学における理科教育への取り組み(北海道支部特集)
• 30aXK-7 Cu(HCOO)_2・4H_2Oのラマン散乱(誘電体)(領域10)
• 近接場光を用いたナノ領域におけるラマン分光スペクトルの観察
• 21pXC-6 走査型近接場ラマン分光法
• 20pXC-7 硝酸鉛結晶におけるラマン散乱測定
• 薄膜・微粒子の構造と磁気抵抗,磁性及び超伝導(平成9年度学内特定研究の報告)
• 23aPS-13 銅酸化物高温超伝導体Bi_2Sr_2CaCu_2O_の超伝導に対するZn添加効果(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用
• Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
• 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築(機能ナノデバイス及び関連技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク