Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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不純物ドーピングに伴う不純物バンドの形成、イオン化エネルギーの低下、伝導帯のバンドティリングを考慮して状態密度を計算し、Mottの式を用いてPドープ極薄Siのゼーベック係数を理論的に評価した。その結果、ゼーベック係数の不純物濃度依存性において、1×10^<19>cm^<-3>の近傍でピークが現れた。これは、実験結果と定性的によく一致しており、高濃度ドープしたSiのゼーべック係数が不純物バンドの電子状態密度に強く支配されることを示す。
- 2011-02-16
著者
-
池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
-
サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所
-
Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
-
サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会
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