池田 浩也 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
-
Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所
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サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会
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田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
-
三輪 一聡
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦
静岡大学電子工学研究所
-
石川 靖彦
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
鈴木 悠平
静岡大学電子工学研究所
-
石田 明広
静岡大学工学部
-
ヌルヤディ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
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Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
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田部 道晴
静岡大学 電子工学研究所
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下村 勝
静岡大学電子工学研究所
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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長田 浩平
静岡大学電子工学研究所
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Yasuda Y
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Yasuda Yukio
Department Of Applied Physics Osaka City University
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SAKAI Akira
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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ZAIMA Shigeaki
Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University
-
IKEDA Hiroya
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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今井 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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Sakai A
Division Of Electrical And Computer Engineering Yokohama National University
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浅井 清涼
静岡大学電子工学研究所
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石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
-
HAYASHI Yukihiro
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Tabe M
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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山下 尚見
静岡大学電子工学研究所
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ファイズ サレ
静岡大学電子工学研究所
-
酒井 彰
室蘭工大工
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SAKASHITA Mitsuo
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
HONDA Kazutaka
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
-
ラトノ ヌルヤディ
静岡大学電子工学研究所
-
ヌルヤデイ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
-
Honda K
Fujitsu Laboratories Ltd.
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NURYADI Ratno
静岡大学電子工学研究所
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石川 靖彦[他]
静岡大学電子工学研究所
-
ファイズ サレ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会特別研究員
著作論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子部品・材料)
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子デバイス)
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO_2-TiO_2 Composite Films
- Reactive Deposition Epitaxy of CoSi_2 Films on Clean and Oxygen-Adsorbed Si(001) Surfaces
- Surface and Interface Smoothing of Epitaxial CoSi_2 Films by Solid-Phase Epitaxy Using Adsorbed Oxygen Layers and Two-Step Growth on Si(001) Surfaces
- 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
- 第12回固体薄膜・表面国際会議(ICSFS-12)
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築(機能ナノデバイス及び関連技術)