石田 明広 | 静岡大学 工学部電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 石田 明広

  静岡大学 工学部電気電子工学科

• 石田 明広

  静岡大学工学部

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部

• 藤安 洋

  静岡大学工学部電子工学科

• 井上 翼

  工学部電気電子工学科

• 石野 建英

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部電気工学科

• 石野 健英

  静岡大学工学部

• 井上 翼

  静岡大学工学部

• 長澤 仁也

  静岡大学工学部

• 石田 明広

  静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科

• 藤安 洋

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 藤安 洋

  静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科

• 榊原 慎吾

  ヤマハ(株)

• 下村 哲

  理研 フロンティア

• 大橋 達也

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 曽根 直樹

  静岡大学工学部

• 王 淑蘭

  静岡大学大学院電子科学研究料

• 尾勢 朋久

  静岡大学工学部電気電子工学料

• 王 淑蘭

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 尾勢 朋久

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 竹内 要二

  静岡大学電子科学研究科

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• サレ ファイズ

  静岡大学電子工学研究所

• 浅井 清涼

  静岡大学電子工学研究所

• 中西 洋一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 三村 秀典

  静岡大学電子工学研究所

• 菅 博文

  浜松ホトニクス

• 太田 正志

  浜松ホトニクス(株)

• 桑原 正和

  浜松ホトニクス株式会社

• 八百 隆文

  JASRI

• 八百 隆文

  東北大金研

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 鷹岡 貞夫

  阪大理

• 八百 隆文

  東北大学金属材料研究所

• 藤安 洋

  静大工

• 立岡 浩一

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• 櫻井 伸弘

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 鈴木 大介

  Asti(株)

• 石田 明広

  Faculty of Engineering, Shizuoka University

• 牧野 久雄

  東北大学金属材料研究所

• 牧野 久雄

  高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター

• 三村 秀典

  The Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 下村 哲

  阪大理

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

• 山本 悦司

  静岡大学工学部電子工学科

• 石田 明広

  静大工

• 木下 治久

  静大電子科研

• サレ ファイズ

  静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会

• 石田 明広

  Faculty Of Engineering Shizuoka University

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 萩行 正憲

  阪大レーザー研

• 根尾 陽一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 八百 隆文

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 萩行 正憲

  大阪大学超伝導フォトニクス研究センター

• 根尾 陽一郎

  静岡大学・電子工学研究所

• 三村 秀典

  静岡大学・電子工学研究所

• 藤安 洋

  静岡大

• 中村 高遠

  静岡大学工学部

• 松下 景一

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 内藤 正英

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 野寄 靖史

  静岡大学工学部電子工学科

• 邑瀬 和生

  阪大・理

• 藤安 洋

  静岡大 工

• 石田 明広

  静岡大学

• 大原 賢治

  電子科学研究科

• 根尾 陽一郎

  電子工学研究所

• 三村 秀典

  電子工学研究所

• 石田 明広

  工学部電気電子工学科

• 竹田 聡

  Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University

• 井上 翼

  Faculty of Engineering, Shizuoka University

• 三村 秀典

  The Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 根尾 陽一郎

  静岡大学 電子工学研究所

• 守時 克典

  阪大理

• 桑原 弘

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 石田 明広

  静岡大工

• 藤 安洋

  静岡大工

• 中村 高遠

  静岡大学工学部材料精密化学科

• 藤安 洋

  静大・工

• 疋田 京子

  静岡大学工学部電子工学科

• 増尾 浩樹

  静岡大学工学部電子工学科

• 田中 貴久

  静岡大学工学部電子工学科

• 後藤 佳彦

  静岡大学工学部電子工学科

• 竹内 要二

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 竹田 聡

  Graduate School Of Electronic Science And Techonology Shizuoka University

• 木下 治久

  静大工

• 桑原 弘

  静大工短

• Choi Y.D.

  Department of Physics, Mokwon University

• 杉本 哲弘

  Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University

• 榊原 慎吾

  Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University

• 石野 健英

  Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University

• 石田 明広

  Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University

• 藤安 洋

  Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University

• 天野 典保

  静岡大学工学部電子工学科

• 下村 哲

  阪大・理

• 浦川 幸宏

  阪大・理

• 石田 明広

  静大・工

• 竹内 朗

  静岡大学工学部電子工学科

• Choi Y.d.

  Department Of Physics Mokwon University

• 八百 隆文

  東北大 学際科学国際高等研究セ

• 榊原 慎吾

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 阪下 俊彦

  静岡大学工学部電子工学科

• 木下 治久

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 杉本 哲弘

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Shizuoka University

• 萩行 正憲

  大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• IV-VI族化合物半導体薄膜と赤外レーザへの応用
• ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
• ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
• 窒化物ナノ蛍光体による新規紫外発光デバイスの研究
• エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノテク・材料と赤外線
• 材料・光学部品 (1)
• HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 赤外線半導体レーザの最近の動向
• 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
• IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
• 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
• CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
• HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
• HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
• ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
• Hot Wall法によるEL素子用薄膜の成長と評価
• 30p-K-12 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の光学的特性
• Characterizations of ZnS-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
• 28a-A-5 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子におけるサイクロトロン共鳴の周期依存性
• 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
• ホットウォール法によるZnTe,ZnTe-ZnSe超格子へのp型ドーピング
• X線回折によるPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子中のSn拡散の評価と低拡散HWE成長法
• 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
• ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
• IV-VI族赤外線レーザの最近の研究
• 4-6族長波長半導体レ-ザ (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
• ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜

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