サレ ファイズ | 静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会
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概要
関連著者
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池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
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サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所
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サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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石田 明広
静岡大学工学部
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三輪 一聡
静岡大学電子工学研究所
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浅井 清涼
静岡大学電子工学研究所
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石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
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下村 勝
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 悠平
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))