三輪 一聡 | 静岡大学電子工学研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学電子工学研究所の論文著者

関連著者

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• 三輪 一聡

  静岡大学電子工学研究所

• サレ ファイズ

  静岡大学電子工学研究所

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

• 鈴木 悠平

  静岡大学電子工学研究所

• 石田 明広

  静岡大学工学部

• 下村 勝

  静岡大学電子工学研究所

• サレ ファイズ

  静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会

• ファイズ サレ

  静岡大学電子工学研究所

• ファイズ サレ

  静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会特別研究員

著作論文

• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
• 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
• 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築(機能ナノデバイス及び関連技術)

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