外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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シリコンをナノ構造化することにより熱電変換性能を向上するためのひとつのポイントは、フェルミエネルギーを制御してゼーベック係数を大きくすることである。そのため、極薄SOI層に外部電圧を印加したときのゼーベック係数の変化を実験と理論計算の両面から調べた。その結果、外部電圧によるSOIのゼーベック係数は、BOX層との界面近傍のキャリア密度、すなわちフェルミエネルギーを介して制御でき、その値にはフォノンドラッグの効果も寄与することが示された.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-02-20
著者
-
池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
-
Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
-
三輪 一聡
静岡大学電子工学研究所
-
鈴木 悠平
静岡大学電子工学研究所
-
ファイズ サレ
静岡大学電子工学研究所
-
ファイズ サレ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会特別研究員
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