極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))

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概要

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• 極薄SOI(silicon-on-insulator)構造の熱凝集現象とパターニングの効果について報告する。10nm程度まで薄層化した(001)SOI層は、超高真空中で高温加熱(〜900℃以上)すると、<310>方向に規則配列したアイランドに変形する。この熱凝集現象において、SOI層を予め細線状に加工すると、細線幅が狭く(1μm以下)かつSOI層の初期膜厚が薄い(〜3nm)場合、細線を形成した面内結晶方位に関係なく、細線方向に沿ったアイランド配列が得られる。一方、細線幅が広く、膜厚が厚い(〜6nm)場合には、はっきりとした配列は観測されない。細線方向に沿った配列と<310>結晶方向の配列が混在するためと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-05-09

著者

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• ヌルヤディ ラトノ

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 今井 泰宏

  静岡大学電子工学研究所

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

• NURYADI Ratno

  静岡大学電子工学研究所

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