人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)

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概要

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• 人工転位網内包silicon-on-insulator(SOI)構造を用いた単電子デバイスについて紹介する。薄いSOI層中に2次元らせん転位網を埋め込んだ構造を、2枚の市販SOIウエハを直接貼り合わせる方法により実現した。転位周辺の歪み場に応じてバンド端のエネルギーが変調され、SOI層中に周期ポテンシャルが形成されることが期待される。20nm周期の人工転位網を内包したSOI構造を用いてMOSFETを作製した結果、ドレイン電流-ゲート電圧特性に単電子トンネルによる電流振動が観測された。転位網が周期ポテンシャル・多重トンネル接合の形成に有効であることを示唆している。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-01-19

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 山本 智寛

  静岡大学電子工学研究所

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