シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)

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概要

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• 二次元的に敷き詰められたシリコン多重量子ドット構造をチャネルに持つ電界効果トランジスタを作製し、その電気的特性について光照射効果を中心に研究を行った。その結果、いくつかの試料において単正孔トンネル特性に対する光照射効果が観察された。すなわち、クーロン振動に起因した電流ピークにおいて、光照射により新しいピークの生成やピーク位置のシフトが起こる。等価回路を用いたモンテカルロシミュレーションの結果、これらの現象は、光照射による電流経路近傍のシリコンドット内正孔数の減少により生じることが示された。光励起された電子が基板からドットに注入され、正孔と再結合することにより正孔数が減ずるものと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-12-12

著者

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• ヌルヤディ ラトノ

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

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