シリコン量子井戸構造の作製と評価

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概要

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• 約2nmの極薄埋め込みSiO_2を持つ自作貼り合わせSOIウエハを用いて、数nmの厚さの単結晶SiとSiO_2からなる二重障壁構造を作製し、そのI-V特性を評価した。Si井戸層が約5nmの試料では、I-V特性に特徴的な変化は見られず、電流は単調に増加した。これに対し、Si井戸層が約2nmの試料では、階段状の電流変化が見られ、さらに負性微分抵抗も観測された。この特性は共鳴トンネル効果によるものと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-05-18

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 土屋 敏章

  島根大学 総合理工学部

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 岩崎 正憲

  静岡大学電子工学研究所

• Tsuchiya T

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

• Tsuchiya T

  Department Of Electronics Doshisha University

• 石原 大阿

  静岡大学電子工学研究所

• Tsuchiya Toshiharu

  Faculty Of Engineering Shizuoka University

• Tsuchiya Takenobu

  Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University

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