光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)

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概要

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• 私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与える効果を調べる。ドナーをドープしたチャンネルでは、個々のドナーを介した単電子トンネリングによって電流が流れる。光照射下では、電流はランダムテレグラフシグナル、すなわち断続的な信号となる。また、光強度の依存性などから、この電流の切り替わりはチャネル中でのフォトン吸収によるものと考えられる。

• 2011-02-16

著者

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• Tare Michiharu

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• モラル ダニエル

  静岡大学電子工学研究所

• ウディアルト アリエフ

  静岡大学電子工学研究所

• 中村 竜輔

  静岡大学電子工学研究所

• 水野 武志

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

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