Tabe Michiharu | Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

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概要

• 同名の論文著者
• Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka Universityの論文著者

関連著者

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 田部 道晴

  静岡大学電子工学研究所

• 田部 道晴

  静岡大学 電子工学研究所

• Tabe M

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• Tare Michiharu

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• モラル ダニエル

  静岡大学電子工学研究所

• 水野 武志

  静岡大学電子工学研究所

• TABE Michiharu

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Tabe Michiharu

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• Moraru Daniel

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• Ikeda Hiroya

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• MORARU Daniel

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Department Of Physics Faculty Of Science Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• 三木 早樹人

  静岡大学電子工学研究所

• 中村 竜輔

  静岡大学電子工学研究所

• Yokoi Kiyohito

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• ウディアルト アリエフ

  静岡大学電子工学研究所

• Ono Yukinori

  Ntt Basic Research Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation

• ハミッド エルファン

  静岡大学電子工学研究所

• Tabe Michiharu

  Ntt Lsi Laboratories

• Ono Yukinori

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Cornoration

• Nuryadi Ratno

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• YOKOI Kiyohito

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Nagata Daisuki

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 石川 靖彦

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Ligowski Maciej

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 靖彦

  静岡大学電子工学研究所

• Ono Yukinori

  NTT Basic Research Laboratories

• Inokawa Hiroshi

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• HORIGUCHI Seiji

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Akita University

• ヌルヤディ ラトノ

  静岡大学電子工学研究所

• Inokawa Hiroshi

  Research Institute Of Electronics Shizuoka Univ.

• Inokawa Hiroshi

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Horiguchi Seiji

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Akita University

• アンワル ミフタフル

  静岡大学電子工学研究所

• Ikeda H

  National Laboratory For High Energy Physics

• TAKAHASHI Yasuo

  NTT LSI Laboratories

• YOKO Kiyohito

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• NURYAD Ratno

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• NAGATA Daisuki

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• 永田 大輔

  静岡大学電子工学研究所

• タリド ジュリ・チヤ

  静岡大学電子工学研究所

• LIGOWSKI Maciej

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Ichiraku Akihiro

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Ono Yukinori

  Ntt Lsi Laboratories

• BURHANUDIN Zainal

  Research Institue of Electronics, Shizuoka University

• 海老澤 一仁

  静岡大学電子工学研究所

• Burhanudin Zainal

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• Mizuno Takeshi

  Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn

• Takahashi Yasuo

  The Tokyo Metropolitan Research Laboratory Of Public Health:graduate School Of Nutritional And Envir

• Ichiraku Akihiro

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Takahashi Yasuo

  Faculty Of Pharmaceutical Sciences Tokyo University Of Science

• 水田 博

  東京工業大学大学院理工学研究科

• HORIGUCHI Seishi

  Optoelectronics Joint Research Laboratory

• Nagata Daisuke

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Horiguchi Seiji

  Ntt Basic Research Laboratories

• Horiguchi Seiji

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation

• Takahashi Y

  Hokkaido Univ. Sapporo‐shi Jpn

• タリド ジュリ・チャ

  静岡大学電子工学研究所

• Takahashi Y

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Cornoration

• 水田 博

  日立製作所中央研究所

• Anwar Miftahul

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Jablonski Ryszard

  Division of Sensors and Measuring Systems, Faculty of Mechatronics, Warsaw University of Technology

• ブルハヌディン ザイナル

  静岡大学電子工学研究所

• HORIGUCHI Seiji

  NTT LSI Laboratories

• NAKAJIMA Yasuyuki

  NTT LSI Laboratories

• 山本 智寛

  静岡大学電子工学研究所

• Nakajima Y

  Ntt Lsi Laboratories

• チャタリド ジュリ

  静岡大学電子工学研究所

• ブルハヌディン ザイナル

  Research Institue Of Electronics Shizuoka University

• ノヴァック ローランド

  静岡大学電子工学研究所

• ヤブロンスキー リシャード

  Institute of Metrology and Biomedical Engineering, Warsaw Univ. of Technology

• 葛屋 陽平

  静岡大学電子工学研究所

• 水田 博

  北陸先端科学技術大学院大学

• ヤブロンスキー リシャード

  Institute Of Metrology And Biomedical Engineering Warsaw Univ. Of Technology

• Horiguchi Seiji

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University

• JABLONSKI Ryszard

  Faculty of Mechatronics, Warsaw University of Technology

• Moraru Daniel

  Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University

• KATO Hiroshi

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• ISHIKAWA Yasuhiko

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Ishikawa Yasuhiko

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information

• Ishikawa Yasuhiko

  1research Institute Of Electronics Shizuoka University

• Nagase M

  Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation

• Tabe Michiharu

  Research Institute Of Electronics Shizuoka University

• ウディアルト アリエ

  静岡大学電子工学研究所

• FURUTA Tomofumi

  NTT LSI Laboratories

• Takahashi Y

  Osaka University

• Ishikawa Y

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information

• NAGASE Masao

  NTT LSI Laboratories

• NAMATSU Hideo

  NTT LSI Laboratories

• KURIHARA Kenji

  NTT LSI Laboratories

• IWADATE Kazumi

  NTT LSI Laboratories

• Ishikawa Y

  Dowa Mining Co. Ltd. Tokyo

• Ishikawa Y

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Nippon Institute Of Technology

• MIZUNO Takeshi

  Research Institute of Electronics, Shizuoka University

• Nuryadi Ratno

  Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University

• Ichiraku Akihiro

  Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University

• Anwar Miftahul

  Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University

• Tabe Michiharu

  Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University

• YAMADA Hiroshi

  NTT LSI Laboratories

• KAGESHIMA Hiroyuki

  NTT LSI Laboratories

• OHNO Takahisa

  NTT LSI Laboratories

• ISHIYAMA Toshihiko

  NTT LSI Laboratories

• KUNII YASUO

  Department of Surgery, Sendai National Hospital

• 水野 武志

  静岡大学 電子工学研究所

• Ishikawa Y

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Jablonski Ryszard

  Faculty Of Mechatronics Warsaw University Of Technology

• Kurihara Kazuaki

  Plasma Research Center University Of Tsukuba:(present) Japan Atomic Energy Research Institute

• KUNII Yasuo

  NTT LSI Laboratories

• Mizuno Takeshi

  Research Center Sony Corporation

• Kurihara Kazuaki

  Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory

• Tabe M

  Ntt Lsi Lab. Kanagawa

• KARASAWA Takeshi

  NTT LSI Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation

• Karasawa T

  Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Osaka Jpn

• Kunii Y

  Institute Of Materials Science University Of Tsukuba

• Namatsu H

  Ntt Basic Res. Lab. Kanagawa Jpn

• ウディアルト アリエフ

  静岡大学 電子工学研究所

• モラル ダニエル

  静岡大学 電子工学研究所

• Iwadate K

  Ntt Lsi Laboratories

• Ono Yukinori

  NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation

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著作論文

• Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (シリコン材料・デバイス)
• Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (電子デバイス)
• Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
• Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
• Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
• Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
• Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuniform Arrays of Quantum Dots
• Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (シリコン材料・デバイス)
• Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (電子デバイス)
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Ultra-Dry Oxidation for Improving the Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime of Ultra-Thin Silicon Oxide Films
• Origin of Dark Regions in Scanning Tunneling Microscopy Images Formed by Thermal Oxidation of Si(111) Surface
• Energy Eigenvalues and Quantized Conductance Values of Electrons in Si Quantum Wires on {100} Plane
• Thermal Agglomeration of Thin Single Crystal Si on SiO_2 in Vacuum
• Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
• 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Photoluminescence from a Silicon Quantum Well Formed on Separation by Implanted Oxygen Substrate
• Thermal Stability of B-Doped SiGe Layers Formed on Si Substrates by Si-GeH_4-B_2H_6 Molecular Beam Epitaxy
• Quantized Conductance of a Silicon Wire Fabricated by Separation-by-Implanted-Oxygen Technology
• Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 光照射下でのSOI-FETsの間欠型電流(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 極薄ナノスケールSiトランジスタにおける二つのドナー間単電子移動(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス : デバイス特性とフォトンセンシング機能
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)

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