Tabe M | Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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概要
関連著者
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Tabe M
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
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Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
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田部 道晴
静岡大学 電子工学研究所
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Tare Michiharu
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
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モラル ダニエル
静岡大学電子工学研究所
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三木 早樹人
静岡大学電子工学研究所
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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TABE Michiharu
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Tabe Michiharu
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
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Moraru Daniel
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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ハミッド エルファン
静岡大学電子工学研究所
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ウディアルト アリエフ
静岡大学電子工学研究所
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中村 竜輔
静岡大学電子工学研究所
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Yokoi Kiyohito
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Ligowski Maciej
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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MORARU Daniel
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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YOKOI Kiyohito
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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ISHIKAWA Yasuhiko
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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タリド ジュリ・チヤ
静岡大学電子工学研究所
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TSUCHIYA Toshiaki
Shimane University
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Mizuno Takeshi
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
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Ikeda Hiroya
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Nagata Daisuke
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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ヌルヤディ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
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Nagata Daisuki
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Ishikawa Yasuhiko
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
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アンワル ミフタフル
静岡大学電子工学研究所
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タリド ジュリ・チャ
静岡大学電子工学研究所
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Zhang Jianhua
College Of Economics Osaka Prefecture University
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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LIGOWSKI Maciej
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Ichiraku Akihiro
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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ブルハヌディン ザイナル
静岡大学電子工学研究所
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MAKITA Shigenori
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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ZHANG Jianhua
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Ichiraku Akihiro
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Zhang Jianhua
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Makita Shigenori
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Tsuchiya Toshiaki
Shimane Univ.
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ブルハヌディン ザイナル
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
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JABLONSKI Ryszard
Faculty of Mechatronics, Warsaw University of Technology
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Nuryadi Ratno
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Ono Yukinori
Ntt Basic Research Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation
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Nuryadi Ratno
Research Institue Of Electronics Shizuoka University
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Tabe Michiharu
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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ウディアルト アリエ
静岡大学電子工学研究所
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Ishikawa Yasuhiko
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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MIZUNO Takeshi
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Nuryadi Ratno
Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University
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Ichiraku Akihiro
Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University
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Anwar Miftahul
Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University
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Tabe Michiharu
Graduate School of Electronic Science and Techonology, Shizuoka University
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Anwar Miftahul
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Jablonski Ryszard
Division of Sensors and Measuring Systems, Faculty of Mechatronics, Warsaw University of Technology
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Jablonski Ryszard
Faculty Of Mechatronics Warsaw University Of Technology
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KOSUGI Masaaki
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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Mizuno Takeshi
Research Center Sony Corporation
著作論文
- Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
- Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (シリコン材料・デバイス)
- Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (電子デバイス)
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires
- Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
- Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
- Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
- Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (シリコン材料・デバイス)
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO_2 Interface
- Capacitance-Voltage Study of Silicon-on-Insulator Structure with an Ultrathin Buried SiO_2 Layer Fabricated by Wafer Bonding
- Effects of Electron Tunneling into a Single-Crystalline Si Layer through an Ultrathin Buried Oxide