多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会の論文
- 2007-05-24
著者
-
池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
-
田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
-
Tabe M
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
-
Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
-
田部 道晴
静岡大学 電子工学研究所
関連論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子部品・材料)
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 (電子デバイス)
- 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO_2-TiO_2 Composite Films
- Reactive Deposition Epitaxy of CoSi_2 Films on Clean and Oxygen-Adsorbed Si(001) Surfaces
- Surface and Interface Smoothing of Epitaxial CoSi_2 Films by Solid-Phase Epitaxy Using Adsorbed Oxygen Layers and Two-Step Growth on Si(001) Surfaces
- Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (シリコン材料・デバイス)
- Design of dopant-induced quantum dot arrays in silicon nanostructures for single-electron transfer (電子デバイス)
- Single-electron transfer in phosphorous-doped Si nanowire FETs
- Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO_2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures
- Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers
- Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure
- Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device
- Resonant tunneling characteristics in SiO₂/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage
- 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
- 第12回固体薄膜・表面国際会議(ICSFS-12)
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Si単一ドーパントデバイスとその特性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Tunneling current oscillations in Si/SiO_2/Si structures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- PドープSi SOI-MOSFETにおける単電子の帯電メモリ効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リンをドープした単一および多重ドットSOI-FETによるフォトン検出(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires
- Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
- Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
- Single-electron transfer between two donors in nanoscale thin silicon-on-insulator field-effect transistors
- Single-Electron Transfer by Inter-Dopant Coupling Tuning in Doped Nanowire Silicon-on-Insulator Field-Effect Transistors
- Single-Gated Single-Electron Transfer in Nonuniform Arrays of Quantum Dots
- Silicon nanodevice potential investigation by low temperature Kelvin Probe Force Microscope
- Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (シリコン材料・デバイス)
- Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope (電子デバイス)
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- シリコン共鳴トンネル構造の作製と評価
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- シリコン量子井戸構造の作製と評価
- Electron Tunneling from a Quantum Wire Formed at the Edge of a SIMOX-Si Layer
- Si清浄表面のN_2ガスによる熱窒化
- Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
- Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス(多量量子ドットと機能性)
- Single-photon-induced random telegraph signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス
- シリコンナノ構造の KFM による電位測定
- トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性
- Si Pillar Formation and Height Countrol by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
- Si Pillar Formation and Height Control by Furnace Oxidation of the Si (111) Surface with Ultra-Small SiN Nuclei
- シリコンナノ構造からの電子の電界放出
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用
- Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
- Siナノ構造における電界集中とトンネル電流
- Thermal Agglomeration of Ultrathin Si Layer on Buried SiO_2
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 極薄SOI膜のゼーベック係数制御とナノ構造熱電特性測定技術の構築(機能ナノデバイス及び関連技術)