Ikeda H | National Laboratory For High Energy Physics
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概要
関連著者
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
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サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所
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サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会
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田部 道晴
静岡大学電子工学研究所
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石川 靖彦
静岡大学電子工学研究所
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Yasuda Y
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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ZAIMA Shigeaki
Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University
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石川 靖彦
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Zaima Shigeaki
Center For Cooperative Research In Advanced Science & Technology Nagoya University
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Yasuda Yukio
Department Of Applied Physics Osaka City University
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SAKAI Akira
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Ikeda Hiroya
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Yasuda Yukio
Shionogi Research Laboratories Shionogi & Co. Ltd.
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Zaima S
Nagoya Univ. Nagoya Jpn
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Yasuda Yukio
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya University
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Sakai Akira
Department Of Agricultural Chemistry The University Of Tokyo
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三輪 一聡
静岡大学電子工学研究所
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IKEDA Hiroya
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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ヌルヤディ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
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Tabe Michiharu
Ntt Lsi Laboratories:(present Address)research Institute Of Electronics Shizuoka University
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田部 道晴
静岡大学 電子工学研究所
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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長田 浩平
静岡大学電子工学研究所
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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MATSUSHITA Daisuke
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Matsushita Daisuke
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Matsushita Daisuke
Department Of Architecture And Architectural Engineering Graduate School Of Engineering Kyoto Univer
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Matsushita Daisuke
Advanced Lsi Technology Laboratory Corporate Research & Development Center Toshiba Corporation
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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今井 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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浅井 清涼
静岡大学電子工学研究所
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石田 明広
静岡大学工学部
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石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
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SAKAI Akira
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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YASUDA Yukio
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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SAKASHITA Mitsuo
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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NAITO Shinya
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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HONDA Kazutaka
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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GOTO Satoru
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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OHMORI Kenji
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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TSUCHIYA Yoshinori
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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IKEDA Hiroya
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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Naito Shinya
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Sakashita Mitsuo
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Nakatsuka Osamu
Center For Integrated Research In Science And Engineering Nagoya University
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Tabe M
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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山下 尚見
静岡大学電子工学研究所
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Tobioka Akihiro
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Honda K
Fujitsu Laboratories Ltd.
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Ohmori Kenji
Pharmaceutical Research Institute Kyowa Hakko Kogyo Co. Ltd.
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Ohmori Kenji
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Naito Susumu
Research Laboratories Nippondenso Co. Ltd.:department Of Information Electronics Nagoya University
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Ohmori K
Drug Development Research Laboratories Pharmaceutical Research Institute Kyowa Hakko Kogyo Co. Ltd
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Ohmori Koichi
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Goto S
Semiconductor Technology Laboratory Research & Development Group Oki Electric Industry Co. Ltd.
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Goto Satoru
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Naito S
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Tsuchiya Y
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Nakatsuka O
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Sakashita M
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Tsuchiya Yoshinori
Graduate School Of Comprehensive Human Sciences University Of Tsukuba
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Sakai Akira
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan
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Sakai Akira
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikane-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan
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鈴木 悠平
静岡大学電子工学研究所
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ファイズ サレ
静岡大学電子工学研究所
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酒井 朗
名古屋大学工学研究科
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安田 幸夫
名古屋大学工学部
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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酒井 朗
大阪大学
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酒井 朗
名古屋大学
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
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NAKATSUKA Osamu
Center for Integrated Research in Science and Engineering, Nagoya University
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HAYASHI Yukihiro
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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ZAIMAI Shigeaki
Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University
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TOBIOKA Akihiro
Graduate School of Engineering, Nagoya University
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坂下 満男
名古屋大学大学院工学研究科
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ラトノ ヌルヤディ
静岡大学電子工学研究所
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坂下 満男
名古屋大学大学院光学研究科
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ヌルヤデイ ラトノ
静岡大学電子工学研究所
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安田 幸夫
名古屋大学
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NURYADI Ratno
静岡大学電子工学研究所
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池田 浩也
名古屋大学
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後藤 覚
名古屋大学
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本多 一隆
名古屋大学
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財満 鎮明
名古屋大学
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Katoh Tamiyu
Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo
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Katoh Tamiyu
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Hayashi Yukihiro
Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University
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財満 鎭明
名古屋大学
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石川 靖彦[他]
静岡大学電子工学研究所
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ファイズ サレ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会特別研究員
著作論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Structural and Electrical Characteristics of HfO_2 Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition
- Growth Processes and Electrical Characteristics of Silicon Nitride Films Formed on Si(100) by Radical Nitrogen
- Electrical Properties and Solid-Phase Reactions in Ni/Si(100) Contacts
- 平成20年度第11回リフレッシュ理科教室 : 東海支部浜松会場
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 平成19年度第10回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場-開催報告
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 多重ドットトランジスタによる単電子転送動作シミュレーション(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 平成18年度第9回リフレッシュ理科教室-東海支部浜松会場- : 開催報告
- 第12回固体薄膜・表面国際会議(ICSFS-12)
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性(半導体Si及び関連材料・評価)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性
- Growth Processes and Electrical Characteristics of Silicon Nitride Films Formed on Si(100) by Radical Nitrogen
- Electrical Properties and Solid-Phase Reactions in Ni/Si(100) Contacts
- Structural and Electrical Characteristics of HfO_2 Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition
- シリコン多重ドット構造における単電子伝導のシミュレーション解析と光照射効果への適用
- Atomic-Scale Characterization of Nitridation Processes on Si(100)-$2\times 1$ Surfaces by Radical Nitrogen
- Application of a Two-Step Growth to the Formation of Epitaxial CoSi2 Films on Si(001) Surfaces: Comparative Study using Reactive Deposition Epitaxy
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Pドープ極薄Siにおけるゼーベック係数の理論的評価(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単電子ポンプ動作を利用した半導体冷却デバイスの研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 (電子デバイス)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 (シリコン材料・デバイス)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 外部電圧印加に伴うキャリア注入による極薄SOI膜のゼーベック係数変化(機能ナノデバイス及び関連技術)