石田 明広 | 静岡大学工学部
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概要
関連著者
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石田 明広
静岡大学工学部
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石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
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藤安 洋
静岡大学工学部
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
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藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
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井上 翼
工学部電気電子工学科
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石野 健英
静岡大学工学部
-
井上 翼
静岡大学工学部電気工学科
-
石野 建英
静岡大学工学部電気電子工学科
-
井上 翼
静岡大学工学部
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長澤 仁也
静岡大学工学部
-
池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
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サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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下村 勝
静岡大学電子工学研究所
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藤安 洋
静岡大学大学院電子科学研究科
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曽根 直樹
静岡大学工学部
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尾勢 朋久
静岡大学工学部電気電子工学料
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尾勢 朋久
静岡大学工学部電気電子工学科
-
サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会
-
三輪 一聡
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 悠平
静岡大学電子工学研究所
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浅井 清涼
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松ホトニクス
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太田 正志
浜松ホトニクス(株)
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桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
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八百 隆文
JASRI
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八百 隆文
東北大金研
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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藤安 洋
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科
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石田 明広
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科
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大橋 達也
静岡大学工学部電気電子工学科
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鈴木 大介
Asti(株)
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石田 明広
静岡大学
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牧野 久雄
東北大学金属材料研究所
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王 淑蘭
静岡大学大学院電子科学研究料
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牧野 久雄
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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王 淑蘭
静岡大学大学院電子科学研究科
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Ikeda H
National Laboratory For High Energy Physics
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竹内 要二
静岡大学電子科学研究科
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山本 悦司
静岡大学工学部電子工学科
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榊原 慎吾
ヤマハ(株)
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萩行 正憲
阪大レーザー研
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根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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八百 隆文
東北大学学際科学国際高等研究センター
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萩行 正憲
大阪大学超伝導フォトニクス研究センター
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福田 安生
静岡大学電子工学研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
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藤安 洋
静岡大
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中村 高遠
静岡大学工学部
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櫻井 伸弘
静岡大学大学院電子科学研究科
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藤安 洋
静岡大 工
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大原 賢治
電子科学研究科
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根尾 陽一郎
電子工学研究所
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三村 秀典
電子工学研究所
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石田 明広
工学部電気電子工学科
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三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
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伊ヶ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
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中村 高遠
静岡大学工学部材料精密化学科
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疋田 京子
静岡大学工学部電子工学科
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増尾 浩樹
静岡大学工学部電子工学科
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田中 貴久
静岡大学工学部電子工学科
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後藤 佳彦
静岡大学工学部電子工学科
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木下 治久
静大電子科研
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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阪下 俊彦
静岡大学工学部電子工学科
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木下 治久
静岡大学大学院電子科学研究科
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石野 健英
静岡大学工学部電子工学科
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石田 明広
静岡大学工学部電子工学科
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鈴木 友久
静岡大学電子工学研究所
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萩行 正憲
大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター
著作論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
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- IV-VI族半導体赤外線レーザ
- ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
- ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
- エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノテク・材料と赤外線
- 材料・光学部品 (1)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 赤外線半導体レーザの最近の動向
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
- IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
- 5)IV-VI族赤外線レーザの最近の研究(情報入力研究会)
- CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
- 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
- ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
- IV-VI族赤外線レーザの最近の研究
- ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
- ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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