下村 勝 | 静岡大学電子工学研究所

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概要

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関連著者

• 下村 勝

  静岡大学電子工学研究所

• 池田 浩也

  静岡大学電子工学研究所

• サレ ファイズ

  静岡大学電子工学研究所

• 石田 明広

  静岡大学工学部

• 三輪 一聡

  静岡大学電子工学研究所

• 鈴木 悠平

  静岡大学電子工学研究所

• 安田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子科学研究科

• 福田 安生

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 下村 勝

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 福田 安生

  日本鋼管(株)中央研究所

• 下村 勝

  静岡大電子研

• 河野 省三

  東北大学多元物質科学研究所

• 真田 則明

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 下村 勝

  静岡大 大学院電子科学研究科

• サレ ファイズ

  静岡大学電子工学研究所:日本学術振興会

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著作論文

• 21pHT-3 内殻準位シフト分解光電子回折とその応用(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 光電子回折によるシリコン表面に吸着したベンゼンおよびピラジンの構造解析
• 21pHT-3 内殻準位シフト分解光電子回折とその応用(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 高分解能紫外逆光電子分光装置の開発
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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