収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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Siナノワイヤを用いたサーモパイル型赤外線センサを作製するために,収束イオンビーム(FIB)によってn型SOI層へのGaイオン注入を行い,p型SOI層の作製を試みている.本研究では,平均のGa濃度が3×10^<18>cm^<-3>と3×10^<19>cm^<-3>のSOI試料を作製し,それらのゼーベック係数を測定した.その結果,熱起電力の符号が反転し,p型SOI層ができていることを確認した.測定したゼーベック係数を理論計算値と比較したところ,共ドープのSiの計算値では実験結果を再現することができなかった.これは,作製したp型SOI層内では,Ga濃度が分布を持つことが影響していると思われる.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-09
著者
-
池田 浩也
静岡大学電子工学研究所
-
サレ ファイズ
静岡大学電子工学研究所
-
石田 明広
静岡大学工学部
-
下村 勝
静岡大学電子工学研究所
-
三輪 一聡
静岡大学電子工学研究所
-
鈴木 悠平
静岡大学電子工学研究所
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