IV-VI族赤外線レーザの最近の研究

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概要

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IV-VI族半導体レーザの最近の進歩と研究動向をPbEuTe、PbSrSeやPbSrS等の新クラッド層材料の開発、超格子研究の進展によるバンド不連続の解明、レーザ構造の改良の3つに分け概説する。PbEuTe、PbEuSe、PbirSeやPbSrS等の新クラッド層材料の利用は、IV-VI族半導体レーザの動作温度を著しく向上させた。また、PbTe/PbSuTe接合などの、ヘテロ接合タイプやバンド不連続の解明は、レーザ構造設計の重要な情報を与え、レーザ特性の改善に貢賦している。PbSnTeやPbSnSe系レーザでは、クラッド層をバンドギャップの広いPbEuTe、PbSrSeやSnを含めた4元混晶を用いることにより、さらに動作温度やしきい値の改善が期待できる。
社団法人映像情報メディア学会の論文
1991-09-26

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