ホットウォール法によるZnTe,ZnTe-ZnSe超格子へのp型ドーピング
スポンサーリンク
概要
著者
-
石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
-
藤安 洋
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科
-
石田 明広
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科
-
藤安 洋
静岡大学大学院電子科学研究科
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
-
榊原 慎吾
ヤマハ(株)
-
天野 典保
静岡大学工学部電子工学科
-
榊原 慎吾
静岡大学大学院電子科学研究科
関連論文
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 6a-B-19 ホット・ウォール・エピタキシー法による化合物半導体薄膜の作製とその光物性III
- IV-VI族化合物半導体薄膜と赤外レーザへの応用
- ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用
- ガス相触媒化学気相蒸着法による鉄ナノ粒子形成とカーボンナノチューブの密度制御
- 窒化物ナノ蛍光体による新規紫外発光デバイスの研究
- エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノテク・材料と赤外線
- 材料・光学部品 (1)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 赤外線半導体レーザの最近の動向
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
- IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
- 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
- CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
- Hot Wall法によるEL素子用薄膜の成長と評価
- 30p-K-12 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の光学的特性
- C-9-2 カーボンヒーターによるSrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- Characterizations of ZnS-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 28a-A-5 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子におけるサイクロトロン共鳴の周期依存性
- 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 反応性蒸着過程におけるるつぼ中の金属Mnの酸化克服法
- C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
- C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
- C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
- 反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
- Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ホットウォール法によるZnTe,ZnTe-ZnSe超格子へのp型ドーピング
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- X線回折によるPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子中のSn拡散の評価と低拡散HWE成長法
- 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
- ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
- IV-VI族赤外線レーザの最近の研究
- 4-6族長波長半導体レ-ザ (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
- ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
- ホットウォ-ル法による2-6および4-6族化合物半導体超格子作製とその物性 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の作製と評価)