Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Li二次電池の正極物質として、Mn酸化物が注目されている。Mn酸化物は反応性蒸着法により生成しているが、蒸着の際にMnの酸化を防止するためのセパレーター(SUS cell)を設置した.また、Mn酸化物の成長速度は初回15(Å/s)付近で再現性が良いことがわかっている。本研究では、成長速度の再現性が良くなるような、セパレーターの長さやソース温度などのパラメーターを調査した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
藤安 洋
静岡大
-
藤安 洋
静岡大 工
-
藤安 洋
静岡大学工学部
-
藤安 洋
静岡大学大学院電子科学研究科
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
-
西田 英治
静岡大学工学部
-
以西 雅章
静岡大学理工学研究科
-
藤安 洋
静岡大学理工学研究科
-
清水 寛俊
静岡大学理工学研究科工学部
-
西田 英治
静岡大学理工学研究科工学部
-
本田 真士
静岡大学理工学研究科工学部
-
永塩 豊
静岡大学理工学研究科工学部
-
本田 真士
静岡大学工学部
-
永塩 豊
静岡大学工学部
-
清水 寛俊
静岡大学理工学研究科
関連論文
- ホットウォール蒸着法により作製したSrSe薄膜の構造
- 6a-B-19 ホット・ウォール・エピタキシー法による化合物半導体薄膜の作製とその光物性III
- IV-VI族化合物半導体薄膜と赤外レーザへの応用
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 赤外線半導体レーザの最近の動向
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 波長2μm以上の半導体レーザとその応用
- IV-VI族半導体赤外線レーザの最近の研究
- CdSSe:Mn-ZnS超格子による赤色EL素子
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- ホットウォール法によるSrS : Ce薄膜とCdSSe-SrS超格子とそのEL素子への応用
- Hot Wall法によるEL素子用薄膜の成長と評価
- C-9-2 カーボンヒーターによるSrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- Characterizations of ZnS-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 28a-A-5 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子におけるサイクロトロン共鳴の周期依存性
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 反応性蒸着過程におけるるつぼ中の金属Mnの酸化克服法
- C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
- C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
- C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
- 反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
- Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ホットウォール法によるZnTe,ZnTe-ZnSe超格子へのp型ドーピング
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- X線回折によるPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子中のSn拡散の評価と低拡散HWE成長法
- 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ
- ホットウオールエピタキシー法による半導体薄膜作製と発光素子への応用
- 4-6族長波長半導体レ-ザ (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
- ホットウォール法によって製作した(p/n)PbTe多層膜
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- HWE法成長PbTe-Pb1-xSnxTe超格子のバンド間光吸収
- ホットウォール法によって製作したPbTe-Pb_1-xSn_xTe超格子
- ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- ホットウォ-ル法による2-6および4-6族化合物半導体超格子作製とその物性 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の作製と評価)
- 28p-LD-11 ZnTe-ZnS超格子の安定性(半導体)