量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• (AlN)_1/(GaN)_<n1>の短周期超格子の伝導帯基底サブバンドから第ニサブバンドヘの電子注入にピエゾ効果を利用する[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]_m/(AlN)_<n2>量子カスケード構造をサファイア(0001)基板上に作製し、その構造をX線回折及び透過電子顕微鏡観察により評価した。平坦なGaNバッファ層上へ量子カスケード構造を成長することにより、周期性の良い高品質なカスケード構造が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-05-08

著者

• 石田 明広

  静岡大学工学部

• 石田 明広

  静岡大学 工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部電気工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部電子工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部

• 曽根 直樹

  静岡大学工学部

• 長澤 仁也

  静岡大学工学部

• 石野 健英

  静岡大学工学部

• 石野 建英

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部

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