HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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GaNに1原子層のAlNを周期的に挟んだ(AlN)_1/(GaN)_n11短周期超格子に数原子層のAlNを周期的に挿入した[(AlN)_1/(GaN)_n1]_m/(AlN)_n2量子カスケード構造をホットウォールエピタキシー法により作製し、X線回折、透過電子顕微鏡観察により評価した。トータル20周期、0.4μmの量子カスケード層がGaN薄膜上へコヒーレントに成長していることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
-
石田 明広
静岡大学工学部
-
菅 博文
浜松ホトニクス
-
八百 隆文
JASRI
-
八百 隆文
東北大金研
-
石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
-
八百 隆文
東北大学金属材料研究所
-
立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
井上 翼
工学部電気電子工学科
-
井上 翼
静岡大学工学部電気工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
-
藤安 洋
静岡大学工学部
-
長澤 仁也
静岡大学工学部
-
牧野 久雄
東北大学金属材料研究所
-
牧野 久雄
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
-
井上 翼
静岡大学工学部
-
八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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