井上 翼 | 静岡大学工学部電気工学科
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概要
関連著者
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井上 翼
静岡大学工学部電気工学科
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井上 翼
静岡大学工学部
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井上 翼
工学部電気電子工学科
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石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
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藤安 洋
静岡大学工学部
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藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
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石田 明広
静岡大学工学部
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石野 建英
静岡大学工学部電気電子工学科
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藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
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長澤 仁也
静岡大学工学部
-
石野 健英
静岡大学工学部
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山本 恵一
神戸大学工学部電気電子工学科
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山本 恵一
神戸大工
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林 真至
神戸大工
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石田 明広
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科
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藤井 稔
神戸大院工
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大橋 達也
静岡大学工学部電気電子工学科
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林 真至
神戸大学大学院工学研究科
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藤安 洋
静岡大学大学院電子科学研究科
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曽根 直樹
静岡大学工学部
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王 淑蘭
静岡大学大学院電子科学研究料
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尾勢 朋久
静岡大学工学部電気電子工学料
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王 淑蘭
静岡大学大学院電子科学研究科
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井上 翼
神戸大工
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尾勢 朋久
静岡大学工学部電気電子工学科
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Fujii Masatoshi
Department Of Chemistry Graduate School Of Science Tokyo Metropolitan University
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菅 博文
浜松ホトニクス
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山本 恵一
神戸大自然科:神戸大工
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八百 隆文
JASRI
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八百 隆文
東北大金研
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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藤井 稔
神戸大学工学部
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林 真至
神戸大学工学部
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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藤安 洋
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学工学部電子工学科
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田中 篤嗣
神戸大学大学院自然科学研究科
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山本 恵一
神戸大 工
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牧野 久雄
東北大学金属材料研究所
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牧野 久雄
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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杉本 岳士
神戸大自然科
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藤井 稔
神戸大学工学研究科
-
根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
八百 隆文
東北大学学際科学国際高等研究センター
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林 真至
神戸大院工
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山本 恵一
神戸大自然科
-
林 真至
神戸大自然科
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根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
-
藤安 洋
静岡大
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林 真至
神戸大学大学院自然科学研究科
-
山本 恵一
神戸大学大学院自然科学研究科
-
井上 翼
神戸大学大学院自然科学研究科
-
井上 翼
神戸大自然科
-
田中 篤嗣
神戸大工
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藤井 稔
神戸大自然科
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三村 秀典
静岡大学大学院電子科学研究科
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藤安 洋
静岡大 工
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石田 明広
Faculty of Engineering, Shizuoka University
-
藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科
-
三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
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赤松 謙祐
神戸大学大学院自然科学研究科
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出来 成人
神戸大学大学院自然科学研究科
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杉本 岳士
神戸大工
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井上 翼
神戸大学工学部電気電子工学科
-
杉本 岳士
神戸大学大学院自然科学研究科
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尾上 義尚
神戸大工
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出来 成人
Department Of Chemical Science And Engineering Faculty Of Engineering Kobe University
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出来 成人
神戸大学大学院工学研究科
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GHEMES Adrian
静岡大学電子工学研究所
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赤松 謙祐
神戸大自然
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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林 真至
神戸大
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石田 明広
Faculty Of Engineering Shizuoka University
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Adrian Ghemes
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- Au超微粒子を埋め込んだナイロン11蒸着膜の構造と物性
- Siナノ結晶を埋め込んだSiO_2薄膜の単一電子トンネリング
- 29p-F-2 Geナノ結晶を介した単一電子輸送現象
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 量子カスケードレーザ用AlN/GaN量子井戸構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 28a-YL-4 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導 II
- IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
- 2a-J-7 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
- 28p-G-7 Si-rich SiO_2膜の電気伝導
- カーボンナノチューブ構造体の熱電子源応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)