八百 隆文 | 東北大 学際科学国際高等研究セ

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• 八百 隆文

  東北大学金属材料研究所

• 八百 隆文

  東北大 学際科学国際高等研究セ

• 八百 隆文

  東北大金研

• 植杉 克弘

  北海道大学電子科学研究所

• 植杉 克弘

  北大 電子科研

• 吉村 雅満

  豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター

• 朱 自強

  東北大学金属材料研究所

• 花田 貴

  東北大金研

• 吉村 雅満

  広島大学工学部

• 植杉 克弘

  広大工

• 吉村 雅満

  広大工

• 八百 隆文

  広大工

• 花田 貴

  東北大学金属材料研究所

• 佐藤 智重

  日本電子

• 末吉 孝

  日本電子

• 岩槻 正志

  日本電子

• 滝口 隆晴

  広島大学工学部

• 八百 隆文

  広島大学工学部

• 佐藤 智重

  日本電子(株)

• 新井 健太

  東北大学金属材料研究所

• 末吉 孝

  JEOL

• 石田 明広

  静岡大学工学部

• 菅 博文

  浜松ホトニクス

• 八百 隆文

  JASRI

• 宮尾 正大

  静大電子研

• 石田 明広

  静岡大学 工学部電気電子工学科

• 野村 卓志

  静岡大学電子工学研究所

• 宮尾 正大

  静岡大学電子工学研究所

• 萩野 実

  静岡大学電子工学研究所

• 小村 琢治

  広島大学工学部

• 植杉 克弘

  広島大工

• 吉村 雅満

  広島大工

• 八百 隆文

  広島大工

• 滝口 隆晴

  広大工

• 植杉 克弘

  広島大学工学部

• 立岡 浩一

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 小村 琢治

  Jrcat-nair

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• 井上 翼

  工学部電気電子工学科

• 井上 翼

  静岡大学工学部電気工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部電子工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部

• 長澤 仁也

  静岡大学工学部

• 牧野 久雄

  東北大学金属材料研究所

• 牧野 久雄

  高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター

• 戸塚 洋史

  東北大金研

• 高 恒柱

  東北大金研

• 高 恒柱

  東北大学金属材料研究所

• Cho M.W.

  東北大学金属材料研究所

• 桧山 善人

  弘前大学理工学部

• 具 本欣

  東北大学金属材料研究所

• 真下 正夫

  弘前大学理工学部

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科

• 高岡 克也

  広大工

• 朱 自強

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 八百 隆文

  通産省工業技術院電子技術総合研究所

• 井上 翼

  静岡大学工学部

• 富家 英登

  東北大学金属材料研究所

• 戎谷 崇

  広島大学工学部

• 宮尾 正大

  静岡大

• クルツ 絵里

  東北大学金属材料研究所

• 新井 健太

  東北大学大学院工学研究科

• 阿部 忠由

  広島大・工

• 竹林 和久

  広島大・工

• 朱 自強

  広島大・工

• 八百 隆文

  広島大・工

• 大塚 武夫

  広島大学工学部

• 川又 淳二

  広島大学工学部

• 朱 自強

  広島大学工学部

• Cho M.

  東北大学金属材料研究所

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著作論文

• ZnSeのMBE成長機構
• STMによるSi(111)へのAlCl^3分子の吸着プロセスの観察と反応表面での原子・分子操作
• 走査トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程の観察
• 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
• アルゴンイオンスパッタSi(001)固相エピタキシ過程のSTMによるその場観察 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
• 15a-DJ-12 STMによるAlCl_3吸着Si(111)表面の観察
• 12a-DK-4 Si(100)表面欠陥の高温STM観察
• 13a-Y-9 Si(100)固相エピタキシ過程のSTM観察
• 27pC3 アルゴンスパッタ非晶質Si膜の固相エピタキシ過程のSTM観察(気相成長III)
• STMによるシリコン表面の構造評価 (電子材料高度評価技術)
• HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 28pPSB-4 InAs/GaAs (001) 自己形成ドットのサイズ均一化の機構
• ZnOエピタキシーの最近の進展
• II-VI族化合物半導体の分子線エピタキシー薄膜 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• MBEによるInGaAs成長中のIn再蒸発
• 原子価不整合のあるII-VI/III-V界面の形成
• AlAs/GaAs超格子の熱物性 (超格子素子基礎技術) -- (超格子の構造と特性評価)
• II-VI族半導体量子ドット
• 27pC4 p-CdSeの作製と評価(気相成長III)
• 27pC15 TEGa・TBAsを用いたGaAsのGS-MBE成長(気相成長IV)
• SCaM/AFM/STM複合顕微鏡による半導体電気特性ナノレベル評価
• 半導体量子ドットの自然形成とその評価法
• Si(100)ステップの局所構造と電子状態
• STMでみる固相エピタキシープロセス

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