宮尾 正大 | 静大電子研
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概要
関連著者
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宮尾 正大
静大電子研
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宮尾 正大
静岡大
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
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宮尾 正大
静岡大学電子工学研究所
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西田 亮三
静岡大学電子工学研究所
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野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
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菊池 浩昌
静岡大学電子工学研究所
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永井 俊光
静岡大学電子工学研究所
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窪田 政一
東大物性研
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栃原 浩
物性研
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知念 幸勇
東芝
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和田 達明
静岡大学大学院電子科学研究科
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宮尾 正大
仙台電波高等専門学校
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村田 好正
物性研
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有賀 哲也
物性研
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窪田 政一
物性研
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栃原 浩
北大触媒研
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萩野 實
静岡大学電子工学研究所
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逢坂 雄美
仙台電波工業高等専門学校
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山内 一朗
日本電装(株)
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新垣 実
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 智行
ソニー株式会社
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加藤 義章
阪大レーザー研究センター
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中野 昇
東大物性研
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吉岡 正和
東大核研
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武藤 正文
東大核研
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村田 好正
東大物性研
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設楽 哲夫
KEK-PF
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設楽 哲夫
Kek
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栃原 浩
東大物性研
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黒田 寛人
東大物性研
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八百 隆文
東北大金研
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広瀬 佳治
島津製作所医用技術部
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山口 豪
静大工、物性研
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山口 豪
静大工:プリンストン大学
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佐藤 勇
高工研
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西村 弘志
東大物性研
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宮尾 正大
東北大通研
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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高田 耕治
Kek
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高田 耕治
高エネルギー加速器研究機構
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高田 耕治
高エネルギー物理学研究所
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高橋 正
東北大 電気通信研究所
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山口 豪
静岡大学工学部
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佐々木 彰
静岡大学工学部
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西野 直也
富士電気化学株式会社
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福岡 修一
富士電気化学株式会社
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菊池 浩昌
日本電気
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永井 俊光
浜松ホトニクス
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前田 裕司
旭硝子株式会社
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佐藤 勇
KEK
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福島 靖孝
KEK
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新竹 積
KEK
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松本 治
KEK
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竹田 誠之
阪大産研
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粟野 春之
静岡大学電子工学研究所
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山口 豪
静岡大 工
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西野 直也
富士電気化学
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高橋 正
東北大通研
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広瀬 佳治
島津製作所
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後藤 隆治
日立金属株式会社
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高橋 正
東北大学電気通信研究所
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萩野 実
静岡電子工学研究所
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和田 達明
茨城大学工学部電気電子工学科
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宮尾 正大
静岡大学大学院電子工学研究所
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萩野 実
静岡大学大学院電子工学研究所
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朱 自強
静岡大学大学院電子科学研究科
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八百 隆文
通産省工業技術院電子技術総合研究所
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山下 正芳
ヤマハ(株)
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宮尾 正大
仙台電波工業高等専門学校
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宮尾 正大
静岡大電子研
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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広瀬 佳治
島津製作所株式会社
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岡田 孝平
日本電信電話公社
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太田 正志
浜松フォトニクス株式会社
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大谷 秀弥
日立製作所
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渡辺 邦仁
メルコムコンピューターシステムス
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知念 幸勇
静岡大学電子工学研究所
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知念 幸勇
静岡大学大学院電子科学研究科
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和田 達明
茨城大学工学部
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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伊藤 寛
日本電装株式会社
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鈴木 智行
静岡大学電子工学研究所
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角田 建男
静岡大学
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朱 自強
東北大学金属材料研究所
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石上 好彦
ソニー株式会社
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萩野 実
静大電子研
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西田 亮三
静大電子研
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角田 建男
浜松テレビ株式会社
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川口 泰彦
静岡大学電子工学研究所
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吉岡 正和
東大原子核研
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加藤 義章
阪大レーザー研
著作論文
- 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
- 電界イオン-走査型トンネル複合顕微鏡の製作とその性能
- インタ-ネットとパ-リテキストの活用
- 中期インド・アリアン聖典の計算機解析-11-韻律解析の全体像と韻律の分類表示について
- NEA GaAs光電面に対する残留ガスの影響
- NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
- 量子力学における汎関数法
- ZnSeのMBE成長機構
- カリウム添加Ag-O-Cs光電面の研究
- RHEED強度振動測定装置の開発
- 分子線エピタキシ法によるGaAs_xP_1-x混晶成長の組成比制御
- GaAs表面超構造のMBE成長条件依存性による実効的As/Ga比の決定
- MBE成長ヘテロエピタキシャル層格子歪の評価
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- GaP表面上へのアルカリ金属の吸脱着(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 半導体表面に吸着したアルカリ金属の状態と光電面の大出力マイクロ波発生装置への応用
- MBE成長GaAs/GaP,GaP/GaAsヘテロ接合の格子歪
- マルチホール分子線源
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長
- 最近のMBEとその応用
- 2a-BB-3 レーザーとフォトカソードを用いた新マイクロ波源「レーザートロン」
- 12p-Y-5 Si(100)へのアルカリ(Li,Na,K,Cs)吸着
- ZnTeの電気的光学的諸特性
- 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
- 2a-BB-4 レーザートロン用 フォトカソード
- 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
- AES-LEEDによるGaP表面の研究
- マイクロプロセッサーによる分子線エピタキシャル成長の制御
- 3-6 分子線エピタキシー法によるNEA透過型光電子放出素子
- 分子線源の設計条件について : マルチホールオリフィス分子線源の試作
- 三温度蒸着法によるGaAs薄膜結晶の生成
- マルチホールドプラグ分子線源
- GaP (100) 表面上の吸着Cs及びCs-Oの熱脱離特性
- 熱脱離によるNEA-GaP表面の研究
- Cs_2CO_3を用いたCsイオン銃の試作
- 高電流短パルス電子線源への光電面の応用(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- MBE法によるInGaAs混晶の成長
- 極端紫外領域におけるGaAsからの光電子放出
- GaAsからの光電子放出 II : イオン結晶・光物性
- GaAs-Csからの放出光電子のエネルギー分布
- GaAs-Csからの光電子放出に及ぼすSbとTeの効果
- アルミニウム、ネサ、三セレン化ヒ素からの光電子放出
- Csで活性化されたNEA GaP表面の平衡Cs蒸気圧
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- 負の電子親和力状態にあるGaPからの電子の脱出確率と拡散長
- GaAs,GaP(111B)面の清浄化
- LEED及びオージェ電子分析によるGaAs(110)表面の研究
- ZnTeのキャリアトラップ中心
- ZnTeの増感中心