栃原 浩 | 物性研
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概要
関連著者
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栃原 浩
物性研
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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栃原 浩
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒研
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水野 清義
九大院総理工
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水野 清義
九大総理工
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栃原 浩
北大触媒セ
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栃原 浩
九州大学工学部
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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村田 好正
物性研
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栃原 浩
九大
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白澤 徹郎
九大総理工
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窪田 政一
物性研
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有賀 哲也
物性研
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窪田 政一
東大物性研
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田中 悟
九大院工
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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東 相吾
九大総理工
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林 賢二郎
九大院総理工
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林 賢二郎
九大総理工
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島田 亙
産総研
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島田 亙
富山大学大学院理工学研究部理学領域
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陳 明樹
九大総理工
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池田 淳子
九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻
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白澤 徹郎
東大物性研
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水野 清義
九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻
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宮尾 正大
静大電子研
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吉田 学史
九大総理工
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坂本 一之
千葉大院融合
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田中 悟
九大工院
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川村 隆明
山梨大教育
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水野 清義
九州大学総合理工学研究科
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坂木 一之
東北大院理
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小山 正
物性研
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石田 晏穂
物性研
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栃原 浩
九州大学総理工
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Rahman Faridur
九大総理工
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島田 亙
九大総理工
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池田 淳子
九大総理工
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大島 誠史
九大院総理工
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辛 埴
東大物性研
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谷口 雅樹
広大院理
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木下 豊彦
JASRI, SPring-8
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原沢 あゆみ
東大物性研
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奥田 太一
東大物性研
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柿崎 明人
東大物性研
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菅 滋正
物性研
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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室 隆桂之
財団法人高輝度光科学研究センター
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森田 康平
九大院工
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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小林 英一
Saga-ls
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室隆 桂之
JASRI
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森田 康平
九大総理工
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原田 慈久
RIKEN Spring-8
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高橋 敏男
東大物性研
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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大門 寛
物性研
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谷口 雅樹
物性研
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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坂本 浩一
物性研
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室隆 佳之
JASRI
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山本 雅樹
物性研
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門
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今井 彩子
千葉大院自然
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角田 治哉
千葉大院自然
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馬渡 健児
東北大院理
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谷治 光一郎
東大物性研
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田中 悟
北大電子研
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加瀬 晃
物性研
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渡部 俊太郎
物性研
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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Eriksson P.
IFM Linkoping Univ.
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Uhrberg R.
IFM Linkoping Univ.
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上野 信雄
千葉大院融合
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坂本 一之
千葉大院自然
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水野 清義
千葉大院自然
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上野 信雄
九大総理工
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木下 豊彦
Jasri
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津田 惟雄
東理大理
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間瀬 一彦
物性研
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土井 一郎
物性研
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小野田 穣
九大総理工
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今泉 幸治
九大総理工
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Rahman F.H.M.
九大総理工
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岩崎 大悟
九州大学総理工
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池堂 祐一
九大総理工
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Kocan Pavel
九大総理工
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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Eriksson P.
Ifm Linkoping Univ.:nims
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山本 雅樹
東大物性研
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伊藤 久司
物性研
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岩崎 大悟
九大総理工
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佐藤 智重
日本電子
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岩槻 正志
日本電子
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島田 亙
北海道大学 低温科学研究所
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Kocan P.
九大総理工
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岩永 巨之
九大総理工
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野田 孝行
九大総理工
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三好 永作
九大総理工
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Lee S.
POSTEC
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Kim N.
POSTEC
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Chung J.
POSTEC
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Rocker G.
UC Santa Barbara
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Martin R.
UC Santa Barbara
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Metiu H.
UC Santa Barbara
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福田 淳
九大総理工
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島田 亙
九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻
-
島田 亙
日本学術振興会
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陳 明樹
九州大学総理工
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佐藤 智重
日本電子(株)
-
平野 久美子
九大総理工
-
三好 永作
九大院総理工
-
水野 祐子
九大総理工
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木下 哲博
九大総理工
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島田 亙
富山大学大学院理工学研究部(理学)
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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宮尾 正大
静岡大電子研
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
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遠藤 彰
物性研
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岩槻 正志
日本電子株式会社
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東 相吾
九大院総理工
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白澤 徹郎
九大院総理工
-
栃原 浩
九大院総理工
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大島 誠史
九大総理工
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白石 雄一郎
九大総理工
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
-
葛見 徹
東理大理
著作論文
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-11 SiC(0001)上にエピタキシャル成長した秩序SiON超薄膜(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-25 SiC(0001)上の不活性超薄膜のLEED/STMによる構造解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29a-D-6 Si(001)の角度分解光電子分光
- 29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出
- 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
- 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-8 Si(001),Ge(001)表面におけるc(4×2)構造の解析とc(4×2)-p(2×1)相転移の臨界現象(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2a-RJ-9 K/Cu(100)の角度分解型SOR光電子分光
- 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
- 29p-D-5 アルカリ金属吸着層の構造と物性
- 27a-D-7 金属/分子/金属型サンドイッチ構造の形成
- 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
- 12p-Y-5 Si(100)へのアルカリ(Li,Na,K,Cs)吸着
- 29p-Y-2 Si上のKオーバーレーヤープラズモンの被覆率依存性
- 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
- 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
- Cu(001)表面上のK原子吸着位置 : p(3x2)-p2mg vs.p(3x2)-p2mm
- Si(111)7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
- Cu(001)表面上のMgとLi共吸着により形成する構造のLEEDによる解析
- 28aXE-4 Cu(001)表面上のMg, Li共吸着構造とNa, Li共吸着構造の比較
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30p-D-3 Si(001)面へのLi吸着
- 31p-J-9 Si(100)面へのCs吸着
- 24aPS-37 低速電子回折法を用いたSi(111)-(3x1)-Ag構造解析
- 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 1p-KK-12 低速電子回折像の迅速測定I
- 2p-E-12 アルカリ金属/Cu(001)における構造相転移
- 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
- 2p-RJ-7 Cu(100)上K単原子層の整合・不整合転移
- 12p-Y-8 アルカリ原子/Cu(100)系のLEED観察
- 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
- 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
- 24aPS-34 Si(111)7×7上のステップとアイランドの終端部のSTM観察
- 24aPS-172 LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-12 低速電子線励起による Si(001)-c(4×2) 構造の無秩序化(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-12 低速電子線照射によるSi(001)-c(4×2)表面構造の変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 27pPSA-18 Cu(001)-Bi系のLEEDによる構造解析(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-2 Cu (001)-Bi, Li 共吸着構造の LEED 解析
- 22pYE-5 Si(001) 表面の低温 LEED による観察
- 28aWD-7 Cu(001) 表面上の Bi と Mg および Bi と Li の共吸着構造の LEED 解析
- 28a-H-3 金属表面上の吸着種のレーザー誘起脱離(表面・界面)
- 30p-H-6 Si(001)の角度分解光電子分光 II(表面・界面)
- 2p-A1-10 Cu(001)上のK単原子層形成に伴う電子状態の変化(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)