坂本 一之 | 千葉大院融合
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概要
関連著者
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坂本 一之
千葉大院融合
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坂木 一之
東北大院理
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坂本 一之
東北大院理
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菅 滋正
阪大基礎工
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坂本 一之
阪大基礎工
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大門 寛
阪大基礎工
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阪大基礎工
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東大物性研
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木下 豊彦
東大物性研
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東北大院理
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阪大基礎工
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内田 和喜男
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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太田 俊明
東大理
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東大物性研
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東北大院理
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NEDO
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上野 信雄
千葉大院融合
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須藤 彰三
東北大院理
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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今井 彩子
千葉大院自然
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角田 治哉
千葉大院自然
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坂本 一之
千葉大院自然
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小林 敬介
東北大院理
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高田 真也
東北大院理
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近藤 大雄
東北大院理
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武田 英夫
東北大院理
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東北大院理
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奥田 太一
阪大基礎工
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター(jasri)
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栃原 浩
九州大学大学院総合理工学研究院
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尾嶋 正治
東大院工
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柿崎 明人
東大物性研
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水野 清義
九大院総理工
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栃原 浩
九大総理工
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渡辺 明
東北大多元研
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岡林 潤
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
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上野 信雄
千葉大院自然
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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阿波賀 邦夫
名大物質国際研
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山本 真幸
物材機構
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栃原 浩
北大触媒研
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栃原 浩
北大触媒セ
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栃原 浩
物性研
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Eriksson P.
IFM Linkoping Univ.
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Uhrberg R.
IFM Linkoping Univ.
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Uhrberg R.I.G.
IFM Linkoping大学
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正田 亮
東大物性研
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豊田 智史
東大院工
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岡林 潤
東大院工
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Zhang H.
IFM, Linkoping大学
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Uhrberg R.
IFM, Linkoping大学
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芦間 英典
東北大院理
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劉 希
東北大学際セ
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渡辺 明
東北大反応研
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平野 真澄
東北大院理
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雨宮 健太
東大理
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小野 寛太
総研大・高エ研
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難波 秀利
立命館大理工
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木下 豊彦
Jasri
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難波 秀利
東大理
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Eriksson P.
Ifm Linkoping Univ.:nims
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粕谷 厚生
学際セ
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Uhrberg R.i.g.
Linkoping University
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西本 浩之
阪大基礎工
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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中山 知信
物材機構MANA
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豊田 智史
東京大学大学院工学系研究科
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水津 理恵
名大院理RCMS
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栃原 浩
九大
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粕谷 厚生
東北大学際
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太田 俊昭
東大理
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栃原 浩
九州大学工学部
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Watanabe A
Univ. Tokyo Tokyo
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内橋 隆
物材機構MANA
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Mishra P.
物材機構MANA
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山本 真幸
物材機構MANA:千葉大院融合
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水津 理恵
千葉大院融合
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山本 真幸
物材機構MANA
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田中 悟
九大院工
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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長尾 忠昭
物材機構
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木村 昭夫
広大理
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松井 文彦
奈良先端大物質創成
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辻川 雅人
金沢大自然
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小田 竜樹
金沢大自然
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木村 昭夫
広島大理
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坂本 一之
千葉大院
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平原 徹
東大理
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長谷川 幸雄
東大物性研
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小林 大介
東大工
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江口 豊明
東大物性研
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白澤 徹郎
東大物性研
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水野 清義
九大総理工
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小野 寛太
高エ研
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林 賢二郎
九大院総理工
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林 賢二郎
九大総理工
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谷治 光一郎
東大物性研
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田中 悟
九大工院
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大門 真
阪大基礎工
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虻川 匡司
東北大理
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小野 寛太
高エネ研PF
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八田 振一郎
京大院理
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虻川 匡司
東北大多元研
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虻川 匡司
東北大学多元物質科学研究所
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柿崎 明人
高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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河野 省三
東北大科研
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Setvin M.
物材機構
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三木 一司
物材機構
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Lu Bin
東大物性研
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坂本 一之
千葉大院・融合
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Rossei Federico
東大物性研
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Eriksson P.E.J.
Linkoping大学
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Uhrberg R.I.G.
Linkoping大学
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大岩 みか
千葉大院自然
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Adell M.
MAX-lab
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水野 清義
千葉大院自然
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上野 信雄
九大総理工
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平原 徹
東大院理
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松田 巌
東大院理
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長谷川 修司
東大院理
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坂本 一之
東北大学理
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河野 省三
東北大多元研
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和田 光世
奈良先端大
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島 政英
東北大院理
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Pick A.
IFM, Linkoping大学
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Uhrberg R.I.G.
IFM, Linkoping大学
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小林 大介
東大院工
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Zhang H.
Link ping大学
-
Uhrberg R.
Link ping大学
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Jemander S.
IMF, Linkoping Univ.
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Hansson G.
IMF, Linkoping Univ.
-
Uhrberg R.
IMF, Linkoping Univ.
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原田 壮基
東北大院理
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土井 里志
東北大院理
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Czajka R.
東北大学際セ
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松田 巌
東大理
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坂本 一之
東北大学大学院理学研究科
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近藤 大雄
東北大学大学院理学研究科
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牛見 義光
東北大学大学院理学研究科
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木村 昭夫
東京大学物性研究所
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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三木 一司
電総研
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内田 和喜男
東北大理
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須藤 彰三
東北大理
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河野 省三
東北大・理
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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江口 豊明
東京大学物性研究所
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Uhrberg R.
Ifm Linkoping大学
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中村 清美
阪大基礎工
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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坂本 一之
東北大理
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河野 省三
東北大
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小田 竜樹
金沢大院自然
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Jemander S.
Imf Linkoping Univ.
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Czajka R
東北大金研
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Oda T
Kanazawa Univ. Kanazawa Jpn
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Uhrberg R.
Imf Linkoping Univ.
-
Pick A.
Ifm Linkoping大学
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米沢 卓也
阪大基礎工
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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Hansson G.
Imf Linkoping Univ.
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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Rossei Federico
東大物性研:ケベック大inrs-emt
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虻川 匡司
東北大学多原研
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小田 竜樹
金沢大理工
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若林 克法
物材機構MANA
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松井 文彦
奈良先端大
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宮本 幸治
広大放射光
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小野 寛太
高エネ研
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Dutta S.
物材機構MANA
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吉澤 俊介
物材機構MANA
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虻川 匡司
東北大学理
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Yeom W.H.
POSTECH
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Donath M.
Munster大学
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Schmidt B.A.
Munster大学
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武市 泰夫
東大物性研
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大高 実
千葉大院融合
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水津 理恵
千葉大院融合:名大物質国際研
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Kim T-.H.
POSTECH
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Osciecki R.J.
Linkoping大学
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Stolwijk D
Munster大学
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Fujii J.
TASC Laboratory
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小田 竜樹
金沢大自然:金沢大理工
著作論文
- 30pRD-1 Tl/Si(111)-1×1表面電子構造とC_3対称性スピン分裂(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 領域9,領域5,領域7「分光学的手法による有機薄膜研究の最先端」(2009年秋季大会シンポジウムの報告)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pZK-1 はじめに(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-5 Si(111)表面上に形成したGdシリサイド超薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-10 時間分解光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pPSB-16 Si(111) 表面上に成長した Ag の表面プラズモン
- 28p-PSB-17 電子衝撃イオン脱離による O_2/Si(111)の研究II
- 20pXA-4 Si(111)-(7×7)表面上の物理吸着酸素分子の吸着・反応過程(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-7 Eu吸着により誘起されたSi(111)表面上の一次元鎖構造の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWP-1 Si(111)表面上のCa一次元鎖構造の電子状態(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 20aPS-12 InSb (001) 表面上に成長した α-Sn 薄膜の電子状態
- 29aZF-6 室温における Si(111)-(7×7) 表面の初期酸化過程 : 準安定吸着酸素の研究
- 29pPSA-6 HREELSによるK/Si(111)-(3×1)表面の振動状態の研究
- 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
- 24pPSA-32 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程III
- 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
- 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II
- 25pW-14 In/Si(111)表面の振動状態
- カーボン60吸着シリコン表面の電子状態
- 31a-K-7 Si(111)7×7表面上の長寿命分子状酸素
- 12p-DJ-10 Si(111)3×1-Na 表面の角度分解光電子分光
- 12a-DC-7 Si(113)3×1-K表面の角度分解光電子分光
- 29p-PS-28 Si(111)-(CH_3)_2AlHからの電子衝撃脱離イオン
- 1a-G-6 Si(111)7×7-Clの電子刺激脱離
- 13a-Ps-16 NO/Si(111)の光刺激脱離
- 12a-DH-5 Cl/Si(111)の放射光による光刺激脱離
- 29p-PSB-16 電子衝撃イオン脱離によるO_2/Si(111)の研究
- 領域9,領域5「放射光光電子分光による最先端表面研究」(第67回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
- 18pFE-12 Cu(111)上に作製した環状チアジルラジカルBDTDA超薄膜の構造と電子状態(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-13 ハニカム格子状に配列したラジカル分子BDTDA単層膜のSTM/S観察(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pJA-8 スピン偏極バレーを有する特異なラシュバ効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))