虻川 匡司 | 東北大多元研

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概要

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関連著者

• 虻川 匡司

  東北大多元研

• 虻川 匡司

  東北大学多元物質科学研究所

• 河野 省三

  東北大科研

• 河野 省三

  東北大・理

• 河野 省三

  東北大

• 河野 省三

  東北大多元研

• 虻川 匡司

  東北大学多原研

• 虻川 匡司

  東北大理

• 虻川 匡司

  東北大学理

• 虻川 匡司

  東北大科研

• 高桑 雄二

  東北大科研

• 下村 勝

  静岡大電子研

• 下村 勝

  静岡大 大学院電子科学研究科

• 佐藤 繁

  東北大院理

• 鈴木 章二

  東北大院・理

• 島谷 高志

  東北大科研

• Yeom H.-w.

  東北大 科研

• Yeom H.-w.

  東北大理:(現)東大理

• 佐藤 繁

  東北大 理 物理

• 後藤 忠彦

  東北大 科研

• 佐藤 繁

  東北大理

• 鈴木 章二

  東北大理

• 小杉 亮治

  東北大科研

• 高桑 雄二

  東北大学・科学計測研究所

• 後藤 忠雄

  東北大科研

• 花野 太一

  東北大学科学計測研究所

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 虻川 匡司

  東北大 科研

• 中村 真之

  東北大 科研

• 河野 省三

  東北大 科研

• 虻川 匡司

  東北大学科学計測研究所

• 河野 省三

  東北大学科学計測研究所

• Yeom H.-W.

  東北大理

• 森 優治

  東北大科研

• 木村 慎之

  東北大科研

• 隅谷 宗太

  東北大科研

• 下村 勝

  東北大科研

• 花野 太一

  東北大科研

• 吉村 浩司

  高エ研

• 佐藤 俊介

  岡山大学自然科学研究科

• 安田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子工学研究所

• 福田 安生

  静岡大学電子科学研究科

• 福田 安生

  日本鋼管(株)中央研究所

• Chen X.

  Univ. of Wisconsin-Milwaukee

• 中村 真之

  東北大科研

• 山崎 智之

  東北大学多元研

• Yeom H.W

  東北大理学部

• 河野 省三

  東北大学多元物質科学研究所

• 吉村 浩司

  東北大科研

• 矢島 健太郎

  東北大学多元研

• Yeom H.w.

  Yonsei Univ. Seoul Kor

• 金 起先

  東北大科研

• 高橋 伸彰

  東北大学多元研

• 佐藤 俊介

  東北大多元研

• 後藤 忠彦

  東北大科研

• 村松 夏弘

  東北大科研

• Huff W.R.A.

  東北大科研

• 小倉 康資

  東北大 科研

• 福田 安生

  静岡大 電子工研

• 藤崎 大

  東北大学多元研

• 佐藤 和義

  東北大学多元研

• 福谷 博仁

  筑波大物理

• 佐藤 繁

  東北大院・理

• 下村 勝

  東北大 科研

• 比嘉 昌

  東北大 科研

• SHIVAPRASAD S.M

  東北大 科研

• YEOM H.W

  東北大 科研

• 鈴木 章二

  東北大 理

• 佐藤 繁

  東北大 理

• 谷 順二

  東北大 流体研

• 三浦 達志

  東北大理

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 岡根 哲夫

  東北大理

• 福田 安生

  静岡大電子研

• 福田 安生

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 市川 祐永

  鋼管計測(株)

• 眞田 則明

  静岡大学電子工学研究所

• 下村 勝

  東北大学科学計測研究所

• 藤森 伸一

  東北大理

• 小倉 康資

  東北大科研

• 坂本 一之

  東北大院理

• 鈴木 俊宏

  東北大院理

• 坂木 一之

  東北大院理

• 坂本 邦博

  電総研

• 坂本 統徳

  電総研

• 三木 一司

  電総研

• 佐藤 繁

  東北大科研

• 廉 罕雄

  東北大理

• 小川 修一

  東北大学多元物質科学研究所

• 小川 修一

  東北大学 多元物質科学研究所

• 谷 順二

  東北大流体研

• 三木 一司

  電子技術総合研究所

• 東山 和幸

  東北大理

• 東山 和幸

  筑波大物理

• Yeom H.W.

  東大理

• 下村 勝

  東北大多元研

• 宗像 学

  東北大多元研

• 佐藤 圭

  東北大多元研

• 川和 拓夫

  東北大多元研

• Widstrand S.

  Karlstad大

• Oh J

  東大工

• Yeom H

  東大工

• 岩渕 美保

  筑波大物理

• 細井 真也

  筑波大物理

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 岡根 哲夫

  原子力機構:spring-8

• 廉 罕雄

  東大埋

• Yeom H.W.

  東北大理

• Huff W.R.A

  東北大科研

• 吉村 浩司

  東北大学科研

• Gunnella R.

  東北大多元研

• 池嶋 祐介

  東北大多元研

• 高野 享

  東北大多元研

• WEI Ching-ming

  Institute of Physics, Academia Sinica

• L.S.O Johansson

  Exp.Phys.I, Universitaet Dortmund(Germany)

• E.L Bullok

  Inst.Phys.Exp., Universite de Lausanne(Switzerland)

• L Patthey

  Dept.Phys., Uppsala Universitet(Sweden)

• L Patthey

  Dept.phys. Uppsala Universitet(sweden)

• Patthey L.

  Univ.lausanne

• E.l Bullok

  Inst.phys.exp. Universite De Lausanne(switzerland)

• Wei Ching-ming

  Institute Of Physics Academia Sinica

• L.s.o Johansson

  Exp.phys.i Universitaet Dortmund(germany)

• Johansson L.s.o.

  Lund University

• WEI C.M

  台湾中央研究院

• Saldin D.K.

  Univ.Wisconsin-Milwaukee

• Bullock E.L.

  Univ.Lausanne

• 谷 順次

  東北大流体研

• 市川 祐永

  静岡大 電子工研

• 宗像 学

  東北大科研

• 佐藤 圭

  東北大科研

• 川和 拓夫

  東北大科研

• 川西 浩太

  東北大学多元研

• 川西 浩太

  東北大多元研

• 西ケ谷 好輝

  東北大多元研

• 神崎 慎二

  東北大多元研

• 向島 健太

  東北大多元研

• 山崎 智之

  東北大多元研

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著作論文

• 26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析
• (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
• Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
• Surface Electronic Structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface
• 31p-PSB-45 Core-level photoemission study of In (Al)adsorption on the Si(001)2x1 surface
• 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 31p-YF-5 100-200eVの光電子回折による表面構造解析
• 5p-B-6 Ge蒸着Si(001)表面の炭化過程
• 31a-T-9 X線光電子回折法によるSi(001)c(4×4)-C表面の構造解析
• 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
• 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
• 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
• 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
• 23aYD-10 方位角走査 RHEED 法による表面構造解析
• 29aZF-7 RHEED による Si(111)√x√-Ag 表面構造相転移の研究
• 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
• 25pTE-7 Si(001)表面上のMgO成長における界面Mg層および界面Si酸化膜の影響(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXK-5 Si(001)表面上へのMgOエピタキシャル成長の研究(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pHT-4 ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 31a-T-5 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2×1表面バックルドダイマーの観察II
• 斜入射後方散乱中速電子回折装置によるSi(001)2x1表面バックルドダイマーの観察
• 8a-H-7 表面電気移動と単分域Si(001)4x3-In構造形成
• 29p-F-10 In/Si(001)表面電気移動の観察
• 31p-YF-2 高温Si(001)表面における炭化反応のRHEED-AES「その場」観察
• 電子回折による波数空間測定
• 22pT-4 振動相関熱散漫散乱によるIn吸着Si(111)表面構造解析
• 28pPSB-24 X-ray photoelectron diffraction study of the structures of Pt/Si(001) surface
• 熱散漫散乱電子による直接的な表面構造解析
• 熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究
• 8a-H-6 Si(001)2x1-Cs表面におけるSiダイマーのバックリング
• 28a-YM-9 電子熱散漫散乱による新しい表面構造解析法
• 28a-F-6 Si(001)2×l 表面上のIn脱離過程の RHEED-AES 観察
• 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
• 22aYE-5 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究II(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-143 方位角走査RHEEDによるSi(111)表面上の鉄シリサイドの研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• Atomic Geometry of Mixed Ge-Si Dimers in the Initial Stage of Ge Growth on Si(001)2x1
• 25aTG-7 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7x7->1x1相転移ダイナミクスの研究(25aTG 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 熱散漫散乱を用いた表面構造解析
• 22pHA-11 ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFN-7 ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7x7相転移ダイナミクスII(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXZA-3 ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aJB-2 ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYF-8 LEEDパターソン解析によるSi(111)4x1-In表面構造解析(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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