坂本 邦博 | 電総研

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• 電総研の論文著者

関連著者

• 坂本 邦博

  電総研

• 坂本 統徳

  電総研

• 三木 一司

  電子技術総合研究所

• 三木 一司

  電総研

• 坂本 邦博

  電子技術総合研究所

• 大柳 宏之

  電総研

• 山口 博隆

  電総研

• 山口 博隆

  産総研

• 坂本 統徳

  電子技術総合研究所電子デバイス部

• 坂本 統徳

  電子技術総合研究所

• 河野 省三

  東北大科研

• 三木 一司

  物材機構

• 松畑 洋文

  電総研

• 河野 省三

  東北大・理

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• 虻川 匡司

  東北大学多原研

• 福谷 博仁

  筑波大物理

• 山本 淳

  産総研エネルギー技術

• 村上 寛

  産総研

• 阪東 寛

  電総研

• 桑原 裕司

  理研 SPring-8

• 松下 正

  Kek

• 杉原 和佳

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 村上 寛

  電子技術総合研究所

• 虻川 匡司

  東北大科研

• 大柳 宏之

  通商産業省工業技術院電子技術総合研究所電子基礎部

• 梶村 皓二

  電総研

• Bowler D.r.

  オックスフォード大学

• 塩田 隆

  電総研

• 八百 隆文

  電総研

• 東山 和幸

  東北大理

• 東山 和幸

  筑波大物理

• 村上 寛

  電総研

• Yeom H.W.

  東大理

• 徳本 洋志

  電総研

• 小野 雅敏

  電総研

• 岡野 真

  電総研

• 酒井 明

  東芝超LSI研

• 杉原 和佳

  東芝超LSI研

• 脇山 茂

  セイコー電子工業

• 岩渕 美保

  筑波大物理

• 細井 真也

  筑波大物理

• 杉原 和佳

  (株)東芝

• 松畑 洋文

  電子技術総合研究所

• 塩田 隆

  電子技術総合研究所

• Yeom H.w.

  Yonsei Univ. Seoul Kor

• Yeom H.W.

  東北大理

• 河野 省三

  東北大

• 徳本 洋志

  アトムテクノロジー研究体

• 京谷 憲一

  明治大

• Owen J.h.g.

  オックスフォード大学

• Briggs G.a.d.

  オックスフォード大学

• 脇山 茂

  セイコー電子工業(株)科学機器事業部技術ー部技術 2g

• 阪東 寛

  産総研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 木下 豊彦

  東大物性研

• 石井 武比古

  東大物性研

• TAMASAKU Kenji

  SPring-8/Riken

• 岩田 達夫

  北海道東海大学大学院 理工学研究科 電子情報工学専攻

• 佐藤 繁

  東北大院理

• 佐藤 繁

  東北大理

• 鈴木 章二

  東北大院・理

• 鈴木 章二

  東北大理

• 柏倉 隆之

  東北大理

• 虻川 匡司

  東北大理

• 岡根 哲夫

  東北大理

• 松下 正

  高エ研

• 松下 正

  Kek-pf

• 虻川 匡司

  東北大多元研

• Tamasaku Kenji

  Superconductivity Research Course University Of Tokyo

• Tamasaku Kenji

  Superconductivity Research Course The Niversity Of Tokyo

• 石黒 武彦

  京大理:crest(科技団)

• 石黒 武彦

  電総研

• 山口 博隆

  電子技術総合研究所

• 山本 淳

  電総研

• 太田 敏隆

  電総研

• 大柳 宏之

  電子技術総合研究所

• Park Chon-Yun

  成均館大理

• 佐々木 泰孝

  東北大理

• 高橋 秀行

  東北大理

• Yu Sueng-Woo

  成均館大理

• Kang Kum-A

  成均館大理

• 遠田 義晴

  東北大通研

• 浅見 久美子

  阪大・産研

• 権田 俊一

  阪大・産研

• 浅見 久美子

  阪大産研

• 権田 俊一

  阪大産研

• OWEN J.H.G

  オックスフォード大学

• BOWIER D.R

  オックスフォード大学

• BRIGGS G.A.D

  オックスフォード大学

• Owen J.H.G.

  オックスフォード大

• Briggs G.A.D.

  オックスフォード大

• Bowler D.

  ロンドン大学

• 長尾 哲

  三菱化成総研

• 酒井 明

  京都大学工学部付属メゾ材料研究センター

• 山本 淳

  電子技術総合研究所

• 太田 敏隆

  電子技術総合研究所

• 加藤 英和

  名古屋大学大学院工学研究科

• 松井 恒雄

  名古屋大学大学院工学研究科

• 柏倉 隆之

  宇大工

• 堀池 靖浩

  (株)東芝

• 小野 雅敏

  電総研極限技術部

• 八百 隆文

  広島大工

• 吉本 智巳

  東洋大学工学部電子情報工学科

• 吉本 智巳

  北海道東海大学工学部電子情報工学科

• 岩田 達夫

  東京大学生産技術研究所

• 堀池 靖浩

  東大院工

• 堀池 靖浩

  東芝超lsi研:現広大工

• 徳本 洋志

  電子技術総合研究所

• 岡野 真

  電子技術総合研究所

• 小野 雅敏

  電子技術総合研究所

• 梶村 皓二

  筑波大物質工:電総研

• 徳本 洋志

  アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所

• 小野 雅敏

  電子技術総合研究所極限技術部

• 赤間 善昭

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 赤間 善昭

  東芝超LSI研

• 板東 寛

  電子技術総合研究所

• 岡根 哲夫

  原子力機構:spring-8

• 松井 恒雄

  名古屋大学

• 太田 敏隆

  産総研

• 安藤 淳

  電子技術総合研究所

• 山本 淳

  産業技術総合研

• 橋口 原

  中央大理工

• 長尾 哲

  三菱化成

• 森田 行則

  アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所

• 徳本 洋志

  産業技術融合領域研究所

• 森田 行則

  産業技術融合領域研究所

• Bowler R.D.

  オックスフォード大

• Owen G.H.J

  オックスフォード大

• Briggs D.A.G

  オックスフォード大

• 京谷 憲一

  明治大学

• Kanomata Takeshi

  Department Of Applied Physics Tohoku-gakuin University

• 坂木 統徳

  電総研

• 高橋 直

  明治大工

• 国吉 克哉

  明治大工

• Kanomata T

  Faculty Of Engineering Tohoku Gakuin University

• 堀池 靖浩

  東洋大学工学部電気電子工学科

• 堀池 靖浩

  極端紫外線露光システム技術開発機構(euva)

• 三木 洋文

  電総研

• 鵜木 重幸

  日大文理

• Tamasaku K

  Harima Inst. Riken/spring‐8 Hyogo Jpn

• 橋口 原

  中大理工

• 高橋 直

  明大工

もっと見る 閉じる

著作論文

• 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
• 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
• 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
• Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
• Si基板上に製作したAu/n-Geショットキー障壁ダイオードの電気的特性
• 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
• サ-ファクタントを利用したSi/Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長
• 直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御
• 反射高速電子線回折(RHEED)とエピタキシャル成長
• 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
• 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
• 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
• 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
• 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
• 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
• Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
• 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
• 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
• 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
• シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
• 14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
• 14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
• 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
• 結晶成長におけるサ-ファクタントの効果
• 30a-L-1 MBE成長Si/Ge歪超格子薄膜の電子顕微鏡観察
• 29p-W-10 GeSi超格子の構造
• 29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
• RHEEDとその場観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
• 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
• 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
• MBE法による原(分)子層エピタキシ- (化合物半導体のエピタキシャル成長技術--結晶成長技術の最先端-2-)
• 1p-F4-6 Si(001)微傾斜面の成長機構(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
• 31p-F4-13 UHV-STMによるSi表面の観察(II)(表面・界面)
• 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク