Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本金属学会の論文
• 1999-11-20

著者

• 山本 淳

  産総研エネルギー技術

• 三木 一司

  物材機構

• 太田 敏隆

  電総研

• 坂本 邦博

  電総研

• 三木 一司

  電総研

• 山本 淳

  電子技術総合研究所

• 太田 敏隆

  電子技術総合研究所

• 三木 一司

  電子技術総合研究所

• 坂本 邦博

  電子技術総合研究所

• 加藤 英和

  名古屋大学大学院工学研究科

• 松井 恒雄

  名古屋大学大学院工学研究科

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• 松井 恒雄

  名古屋大学

• 太田 敏隆

  産総研

• 山本 淳

  産業技術総合研

関連論文

• 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 三元系アンチモン化物LaCu_Sb_2の熱電特性
• 遷移金属-ガリウム系化合物の熱電特性と発電素子の試作
• 28aPS-4 CeRhAsの電子線回折
• 25aSF-13 RB_6(R=Ca,Ba)系の高温物性の研究
• 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
• 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
• 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
• 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造I
• 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造 II
• Sm系及びCe系充填スクッテルダイト化合物の熱電特性
• 30aZA-2 高圧装置を用いたスクッテルダイト化合物の単結晶育成
• Bi-Te系熱電材料のせん断付加押し出し
• 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
• 円筒形状熱電モジュールの発電特性解析
• Si-Ge系量子井戸構造の熱電特性 (特集 応用の拡がる熱電変換素子の新展開)
• Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
• 発電用熱電モジュールのV-I特性からみた素子構成に関する研究
• 200℃級熱電発電システムのエネルギー収支の検討
• バルクMAにより創製される(Bi_2Te_3)_(Sb_2Te_3)_熱電材料特性のプロセス依存性
• 熱電半導体材料の性能評価に関する研究
• 量子井戸構造薄膜の熱電輸送特性
• C-6-4 微小先端を有するペルチェデバイスの過渡特性評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-3 ペルチェモジュールを用いた微小物体の冷却と加熱(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-8 InNおよびGaInN単結晶薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-11 III-V族化合物半導体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
• 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
• Si基板上に製作したAu/n-Geショットキー障壁ダイオードの電気的特性
• 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
• 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
• 応用物性
• 応用物性
• 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
• 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
• 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
• サ-ファクタントを利用したSi/Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長
• 直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御
• 反射高速電子線回折(RHEED)とエピタキシャル成長
• ペルチエ冷却用材料
• 低熱落差エネルギ-利用の熱電素子の形状因子
• LNG冷熱利用熱電発電システムの概念設計
• 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
• 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
• X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
• 熱電変換技術の現状と将来 : 今, 熱電は一触即発
• 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
• 低エネルギー電子照射による結晶欠陥の原子レベル回復現象
• 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
• 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
• 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
• 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
• 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
• サーマルプローブを用いた微小領域熱物性測定装置の開発
• 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
• 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
• 19aPS-57 La_Ce_xRu_4P_(x=1, 0.9, 0.8)の熱電特性
• 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
• 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
• 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
• 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
• Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
• 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
• 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
• 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
• シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
• DNAテンプレートを利用する金属ナノアレイの調製
• 26a-O-11 Cs/Graphite(0001)の低速電子エネルギー損失スペクトル、オージェ電子スペクトル
• 2p-S-4 C_8Kの清浄劈開面の表面活性
• 4a-KH-8 C_8Kのエネルギー損失スペクトルII
• 12a-E-6 C_8Kのエネルギー損失スペクトル
• 30a-Y-11 グラファイトのエネルギー損失分光
• 14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
• 14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
• 27aYM-7 プローブ顕微鏡法による半導体格子欠陥・ナノ構造の形成初期過程(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 流体熱源を利用した熱電発電システムのエネルギー収支の検討
• 18aWD-5 オゾンによるSi(111)表面のナノスケールサイト選択酸化
• 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
• 溶媒蒸発により伴われるDNAのナノファイバ形成
• 結晶成長におけるサ-ファクタントの効果
• 30a-L-1 MBE成長Si/Ge歪超格子薄膜の電子顕微鏡観察
• 29p-W-10 GeSi超格子の構造
• 29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
• RHEEDとその場観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
• 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
• 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
• MBE法による原(分)子層エピタキシ- (化合物半導体のエピタキシャル成長技術--結晶成長技術の最先端-2-)
• 3.高効率固体酸化物形燃料電池に向けたセグメント型熱電モジュールの開発(熱電変換技術の現状と展望)
• シリコン(001)表面の欠陥構造 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面形成と微視構造)
• 24aCE-1 X線多波回折現象を利用したX線照射効果のその場観察(24aCE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 1p-F4-6 Si(001)微傾斜面の成長機構(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
• 2b06 極薄ポリイミド光配向膜上のペンタセン薄膜の分子配向と電界効果移動度(分子配向エレクトロニクス,口頭発表,2012年日本液晶学会討論会)
• 31p-F4-13 UHV-STMによるSi表面の観察(II)(表面・界面)
• 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
• 28pPSA-26 STMを用いたSrTiO_3表面の平坦性と還元条件の評価(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク