位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

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概要

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• X線のBragg反射の励起に伴うCTR (Crystal Truncation Rod)散乱の変調を利用して、SiO_2/Si界面付近の結晶側に数10〜数100nmの深さにわたって存在する格子歪みについて調べた。 Kr/O_2プラズマ酸化、700℃および900℃熱酸化によってに数nmの酸化膜を形成した3つのSi(100)ウェハについてヽ界面以下の歪みの深さ方向の分布を調べた。その結果、熱酸化した試料とKr/O_2プラズマによって酸化した試料では、界面近傍の歪みの分布に明らかな違いがあることが分かった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-06-20

著者

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 依田 芳卓

  Jasri

• 依田 芳卓

  高輝度光科学研究センター

• 三木 一司

  物材機構

• 隅谷 和嗣

  東大物性研

• 高橋 健介

  武蔵工大工

• 隅谷 和嗣

  東京大学物性研究所

• 高橋 健介

  武蔵工業大学工学部

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 矢代 航

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 三木 一司

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 三木 一司

  電総研

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 矢代 航

  東大新領域

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  武蔵工業大学

• 依田 芳卓

  高輝度光科学研究

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