14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 依田 芳卓

  JASRI, SPring-8

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 依田 芳卓

  Jasri

• 三木 一司

  物材機構

• 服部 健雄

  武蔵工大工

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ

• 隅谷 和嗣

  東大物性研

• 高橋 健介

  武蔵工大工

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ

• 三木 一司

  電総研

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 矢代 航

  東大新領域

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

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