高橋 健介 | 武蔵工大工

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概要

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関連著者

• 高橋 健介

  武蔵工大工

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 高橋 健介

  武蔵工業大学工学部

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 服部 健雄

  武蔵工業大学

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 依田 芳卓

  Jasri

• 三木 一司

  物材機構

• 隅谷 和嗣

  東大物性研

• 三木 一司

  電総研

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 矢代 航

  東大新領域

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• セマン ムスタファ

  武蔵工業大学工学部

• 廣瀬 和之

  総合研究大学院大学

• 廣瀬 和之

  総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部

• 廣瀬 和之

  宇宙科学研

• 白石 貴義

  武蔵工業大学工学部

• 廣瀬 和之

  宇宙科学研究所

• 依田 芳卓

  JASRI, SPring-8

• 高田 恭孝

  理化学研究所量子秩序研究チーム

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 小林 啓介

  高輝度光科学研究センター

• 高田 恭孝

  東大新領域:理研:spring8

• 高田 恭孝

  理化学研究所放射光物性研究室-spring-8

• 中田 行彦

  株式会社液晶先端技術開発センター

• 依田 芳卓

  高輝度光科学研究センター

• 服部 健雄

  武蔵工大工

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ

• 隅谷 和嗣

  東京大学物性研究所

• セマン ムスタファ

  武蔵工業大学 工学部

• 辛 埴

  理化学研究所・播磨研究所

• 吉田 徹史

  武蔵工業大学工学部

• 塩路 昌利

  武蔵工業大学工学部

• 東 和文

  (株)液晶先端技術開発センター

• 中田 行彦

  (株)液晶先端技術開発センター

• SEMAN Mustafa

  武蔵工業大学工学部

• 依田 芳卓

  高輝度光科学研究

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  京大

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 大見 俊一郎

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 矢代 航

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 矢代 航

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 三木 一司

  産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門

• 中村 智裕

  武蔵工業大学工学部

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 柏木 郁未

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大島 千鶴

  東京工業大学フロンティア研究所

• 城森 慎司

  京都大学大学院工学研究科

• 服部 健雄

  宇宙科学研究所

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• BIN SEMAN

  武蔵工業大学工学部

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 岩井 洋

  東京工業大学

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著作論文

• シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出
• シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
• SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
• SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁

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