SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
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概要
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Si(111)面上に形成した極薄シリコン酸化膜からのO ls光電子のエネルギー損失スペクトルを0.41nmの検出深さで測定した。その結果、酸化膜中へ沁み出したシリコン基板の電子状態間のΓ点における直接遷移に起因するO ls光電子のエネルギー損失が、検出深さよりも厚い膜厚1.12nmのシリコン酸化膜から観測された。このO ls光電子のエネルギー損失の酸化膜厚依存性を解析した結果、サブオキサイド層の価電子帯上端はSiの価電子帯上端とほぼ等価であるいう知見を得た。換言すれば、電子状態から決まる界面は化学結合状態から決まる界面より0.61nmだけ酸化膜側に移動する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-13
著者
-
高橋 健介
武蔵工大工
-
高橋 健介
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
セマン ムスタファ
武蔵工業大学工学部
-
セマン ムスタファ
武蔵工業大学 工学部
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
廣瀬 和之
総合研究大学院大学
-
廣瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
-
廣瀬 和之
宇宙科学研
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
廣瀬 和之
宇宙科学研究所
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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