オンチップパルスジェネレータを用いた高周波パルス電流によるEM評価
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概要
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原子スケールで平坦でかつ水素終端したSi(111)-1×1面およびSi(100)-2×1面の初期酸化過程をX線光電子分光法により調べた。その結果、前者の場合には、乾燥酸素中300℃において酸化膜厚が0.5nmに達するまでは、酸化膜は島状に成長する。さらに、乾燥酸素中800℃において酸化すると酸化の進行とともに界面構造が周期的に変化する。これは、1原子層からなる急峻な界面が形成された後は酸化膜は層状に成長し、原子スケールで平坦な界面が実現されることを示唆している。一方、後者の場合には、前者の場合とは異なり、酸化の進化とともに原子スケールで平坦な界面からのずれが大きくなる。
- 1994-07-26
著者
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