2p-NM-10 Si(111)上の酸化膜のイオン衝撃による電子構造の変化
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-09-14
著者
-
大門 寛
物性研
-
村田 好正
物性研
-
大門 寛
阪大基礎工
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
久嶋 志元
武蔵工大電
-
服部 健雄
武蔵工大電
-
斉藤 裕行
武蔵工大電
-
鈴木 利尚
武蔵工大電
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