29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1986-09-12

著者

• 窪田 政一

  東大物性研

• 村田 好正

  物性研

• 窪田 政一

  物性研

• 加瀬 晃

  物性研

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  物性研

関連論文

• 3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
• 12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
• 30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
• 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
• 4a-E-4 K/Cu(100)の光電子分光
• 26p-O-3 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(110)表面の水素吸着の測定
• 29a-S-11 ^1H(^N,αγ-1)^C核反応の共鳴エネルギー幅
• 27p-C-12 ^1H(^N, αγ_1)^C核反応によるW(001)表面の水素定量
• 2p-R-7 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(100)表面の水素定量
• 27a-E-8 角度分解光電子分光によるNO/Pt(001)表面の研究
• 25p-PS-46 Si(001)清浄表面の構造相転移
• 31a-T-6 レーザーを用いた角度分解共鳴二光子光電子分光による表面研究の装置製作
• 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
• 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
• 3a-T-7 Si(001)のLEED : ストリーク・パターン
• 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
• 3p-B4-4 Surface structure studies of NbMo(100)alloys
• 3a-C4-11 K/Si(001)の光電子分光II
• 3a-C4-7 Impurity effects of the SiO_2-Si(100)interface studied by Angle-Resolved UPS
• 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
• 29a-D-6 Si(001)の角度分解光電子分光
• 29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出
• 27a-D-9 Cu(001)-Kの角度分解光電子分光
• 2p-S-9 アモルファス酸化イリジウムのUPSスペクトルと電気化学的特性
• 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
• 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
• 1a-S-2 Si(001)2×1-Csの低温における構造相転移
• 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
• 2a-RJ-9 K/Cu(100)の角度分解型SOR光電子分光
• 13a-PS-11 物性研PGMを用いた分光研究
• 13a-PS-10 物性研SOR超高真空平面回折格子斜入射分光器の特性
• 3a-TC-16 GaAsの共鳴光電子放出
• 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
• 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
• 1a-S-3 Ge(111)の秩序-無秩序転移と不整合相
• 29a-L-7 MgO(001)からのLEED強度計算
• 30p-BPS-30 シングルドメインPt(001)再配列表面のNO吸着に伴なう構造緩和過程のLEEDによる研究III : シングルドメイン生成機構の考察とまとめ
• 24p-X-2 レーザー励起分子脱離
• 5a-PS-43 NOの吸着に伴うシングルドメインpt(001)再配列表面の、(20×5)から(1×1)への構造緩和過程のLEEDによる研究
• 2a-E-1 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、pt(001)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究 II : 照射レーザー偏光依存性
• 2p-T-5 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、Pt(100)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究I : 並進・回転エネルギー分布
• 2p-T-4 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの紫外レーザー刺激脱離IV : 偏光・波長依存性
• 5a-W-1 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの紫外レーザー刺激脱離III
• 5a-B4-4 Pt(100)表面上に化学吸着したNOの光刺激脱離を含む3光子過程によるNO^+の生成。
• 6a-L-11 低速電子の飛行時間法のエネルギー分析による団体表面の研究
• 測定精度の検討 : 電子回折による分子構造決定の精度シンポジウム
• 30p-D-3 Si(001)面へのLi吸着
• 29a-Y-12 Cu(100)上へのK吸着とその上へのCO吸着 I
• 31p-J-9 Si(100)面へのCs吸着
• 4a-U-3 菊池パターンにおける振動励起
• 31p KA-10 MgO(001)面の低速電子エネルギー損失スペクトル
• 1a GB-6 低速電子線照射によるMgO (001) 面からの発光
• 5a-BK-7 MgO(001)の紫外光電子分光の回折効果
• 1a-BH-5 MgO(001)表面の電子状態 II
• 6p-L-8 RHEEDによるMgO(001)表面の研究
• 6a-H-11 低速電子線回折における菊地像の表面波共鳴III
• 低速電子回折における菊池像の固体表面物性研究への応用(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
• 5a-P-4 低速電子回折における菊池像の表面波共鳴II
• 5a-P-3 低速電子回折における菊池像の表面波共鳴I
• 12a-J-3 低速電子線による菊池像の測定と考察
• 13p-K-5 低中速電子線回折による菊池パターンの測定
• 11a-S-6 MgO(100)表面近傍の格子欠陥からの2次電子放出
• 28a-K-12 飛行時間型2次電子放出分光によるMgO(100)表面近傍の電子状態・格子振動の測定
• 2p-D-6 UHV飛行時間電子分光装置の開発
• 31a-L-3 飛行時間電子分光法によるNiO(100),MgO(l00)の表面格子振動の観測
• 2p-NM-9 飛行時間法電分光によるSi(100)酸化面の測定
• 1a-BF-13 低速電子分光(VPS,ELS)によるNi-Cr(1:1)合金(001)表面での測定
• 6a-L-9 真空紫外光電子分光法と電子のエネルギー損失スペクトルによるNi単結晶上の酸素吸着
• 6p-J-14 MgO(001)劈開面の真空紫外光電子分光
• 2p-Q-13 MgO(001)劈開面の極紫外光電子スペクトル
• 1p-S-9 Si(111)-Auの光電子回折
• 1p-S-3 Si(111)√×√-Gaの光電子回折
• 30p-D-8 Si(111)√×√-AlのSOR光による光電子回折
• 30p-D-7 Si(111)√×√-GaのSOR光による光電子回折
• 低速電子回折 (単原子層の測定)
• 1p-KK-12 低速電子回折像の迅速測定I
• 2p-E-12 アルカリ金属/Cu(001)における構造相転移
• 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
• 2p-RJ-7 Cu(100)上K単原子層の整合・不整合転移
• 12p-Y-8 アルカリ原子/Cu(100)系のLEED観察
• 31p-CK-8 (SN)_x の結晶成長
• 10a-S-1 (SN)_x単結晶育成と問題点
• 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
• 29p-Y-4 S/Ni(100)からのSOR光による光電子回折
• 28a-E-4 紫外レーザー刺激による吸着分子の脱離機構の研究
• 27a-R-5 (1+1)共鳴多光子イオン化法による、Pt(001)-NOの紫外レーザー刺激脱離の研究III : 吸着状態依存性
• LEED強度の迅速測定
• 31a-L-11 Si(111)面の酸化過程の研究
• 2p-NM-10 Si(111)上の酸化膜のイオン衝撃による電子構造の変化
• 6a-C4-8 低速N_2^+イオンの解離性散乱II
• 29a-P-5 超低速イオンの吸着過程 II
• 27p-C-11 Cu(001)上でのN^+とN^+_2イオンの散乱角度分布
• 3a-S-4 Cu(100)上でのN^+_2低速イオンビームの散乱
• 30a-BE-9 Si(100)上のアルカリ金属吸着層の角度分解電子エネルギー損失スペクトル
• 5p-AE-5 アンスラセン単結晶の構造欠陥
• 1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
• 3a-F4-8 低速電子回折法によるSi(111)√3x√3-Agの研究(2)(表面・界面)
• 30p-H-15 Ag-Si(111)_2×1の光電子分光(表面・界面)
• 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)
• 2p-A1-2 Tunable ELSによるK/Si(111)-7×7(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク